高真空回流焊/高真空共晶炉/功率半导体高真空焊接炉/microLED高真空钎焊炉

1、焊接温度：HV3-3型真空共晶炉实际焊接较高温度≥500℃。
2、真 空 度：极限真空度≤10-4 Pa 工作真空：10-4Pa。 
3、有效焊接面积：≥300mmm*300mmm
4、炉膛高度： ≥100mm,特殊高度定制。
5、加热方式：采用底部红外辐射加热+**部红外辐射加热，热板采用半导体级碳化硅石墨平台，碳化硅石墨平台长期使用不易变形，而且具有很高导热性，使热板表面温度较加均匀。
6、温度均匀性：有效焊接面积内≤±2%。
7、升温速率：石墨加热平台较大升温速率≤120℃/min。
8、冷却速率：较大冷却速率60-120℃/min（空载较高温降温100℃的斜率）。
石墨加热平台：采用气冷+水冷结合冷却方式，实现热板的**冷却，提高降温速率，并且实现在降温过程中温差过大造成器件烧结不良，降温速率可通过工艺进行控制，同时满足缓慢降温要求。
9、满足≤500℃的焊接材料焊接要求。
例如： In97Ag3、In52Sn48、Au80Sn20、SAC305、Sn90Sb10、Sn63Pb37、Sn62Pb36Ag2等预成型焊片（可无助焊剂共晶焊接）、各种成份的焊膏、及500度以下材料的固化。