低本底α、β测量仪的仪器特点
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1. 仪器分为单路、二路、四路三种配置,符合GB/T11682-2008要求
2. 采用波形识别技术,较大幅度提高了α探测效率
3. 探测器采用α、β双闪烁体,高灵敏,低本底,
4. 同时测量α、β的总活度,亦可单独测量α或β
5. 中文软件界面,**实时显示各项检测指标,低本底ab测量系统哪家好,易操作、实用性强
低本底半导体探测器
金硅面垒半导体探测器己广泛用于 α 能谱分析。 它们的灵敏面积在 25 ~ 450 mm2,抽空使用时能量分辨率(对 5. 5 MeV)好可达到 13~30 keV。 但是通常作为环境样品低水平α能谱分析用的半导体探测器,一般只能采用较大面积(如直径 2. 5 cm 左右),低本底ab测量系统多少钱,而且总是在室温下不必抽空使用,因此其能量分辨本领半高全宽(FWHM)一般可能要大于 50 ~60 keV。
单路低本底α、β测量仪简介
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技术性能
β效率本底:仪器对于90Sr-90Y β(活性区Φ20mm)源的2π探测效率比≥50%时,本底≤0.15cm-2min-1;
α效率本底:仪器对于239Puα(活性区Φ30mm)源的2π效率比≥80%时,本底≤0.005 cm-2min-1;
α/β交叉性能:α进入β道lt;3%(对239Pu);β进入α道lt;0.5%(对于90Sr-90Y);
α/β交叉性能:β进入α道lt;0.5%(对于90Sr-90Y);
效率稳定性:仪器连续通电8小时以上,各路探测器效率变化小于±5%;
本底稳定性:在1000min的测量时间内,本底计数变化在(Nb±3σ)的范围内,低本底ab测量系统,其中Nb 为本底计数的平均值,σ为本底计数的标准误差;
绝缘电阻:≥2兆欧姆;
耐压绝缘度:>1500V;
使用环境
电源电压:交流220V±10%,50HZ,功耗≤20W。
环境温度:5~40℃
相对湿度:<90%。
尺寸重量:320mm×245mm×630mm,总重量约200kg。
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