上海IGBT驱动板FS450R17KE3/AGDR-71C

上海IGBT驱动板FS450R17KE3/AGDR-71C
IGBT单管：分立IGBT，封装较模块小，电流通常在50A以下，常见有TO247 TO3P等封装。
IGBT模块：即模块化封装的IGBT芯片。常见的有1in1,2in1,6in1等。
PIM模块：集成整流桥+制动单元+三相逆变
IPM模块：即智能功率模块，集成门级驱动及保护功能（热保护，过流保护等）的IGBT模块。 
IGBT是强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征，IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。代功率MOSFET器件大幅度改进了RDS(on)特性，但是在高电平时，功率导通损耗仍然要比IGBT 技术高出很多。较低的压降，转换成一个低VCE(sat)的能力，以及IGBT的结构，同一个标准双极器件相比，可支持更高电流密度，并简化IGBT驱动器的原理图。IGBT基本结构见图1中的纵剖面图及等效电路。 

FS450R17KE3/AGDR-71C
FS300R17KE3/AGDR-71C
FS300R12KE3/AGDR-61C
FS450R12KE3/AGDR-61C
FS225R12KE3/AGDR-71C
FS225R12KE3/AGDR-61C
FS225R12KE3/AGDR-62C
FS225R12KE3/AGDR-72C
FS225R17KE3/AGDR-71C
FS300R12KE3/AGDR-71C  
FS300R12KE3/AGDR-62C
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FS450R12KE3/AGDR-72C
FS300R17KE3/AGDR-61C
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FS225R17KE3/AGDR-66C
FS225R17KE3/AGDR-76C
FS300R17KE3/AGDR-66C
FS300R17KE3/AGDR-76C
FS300R12KE3/AGDR-61C S
FS300R12KE3/AGDR-62C S
FS300R17KE3/AGDR-66C S
FS225R17KE3/AGDR-66C S
FS450R17KE3/AGDR-62C S
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FS450R17KE3/AGDR-72C S
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FS225R17KE3/AGDR-76C S
FS450R17KE3/AGDR-71C S
FS225R12KE3/AGDR-81C S
FS225R17KE3/AGDR-86C S
FS300R12KE3/AGDR-81C S
FS300R12KE3/AGDR-82C S
FS300R17KE3/AGDR-86C S
FS450R12KE3/AGDR-81C S
FS450R17KE3/AGDR-81C S
FS450R17KE3/AGDR-82C S
FS450R12KE3/AGDR-61C S 

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