常规肖特基管STTH1002CT

肖特基（Schottky）二管，又称肖特基势垒二管，是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二管,简称肖特基二管。在通信电源、变频器等中比较常见。而普通二管只能用在低频整流场合，耐压可以做得高。

肖特基二管的应用：
SBD的结构及特点使其适合于在低压、大电流输出场合用作高频整流，在非常高的频率下（如X波段、C波段、S波段和Ku波段）用于检波和混频，在高速逻辑电路中用作箝位。在IC中也常使用SBD，像SBD?TTL集成电路早已成为TTL电路的主流，在高速计算机中被广泛采用。
除了普通PN结二管的特性参数之外，用于检波和混频的SBD电气参数还包括中频阻抗（指SBD施加额定本振功率时对*中频所呈现的阻抗，一般在200Ω～600Ω之间）、电压驻波比（一般≤2）和噪声系数等。

典型的肖特基整流管的内部电路结构是以N型半导体为基片，在上面形成用砷作掺杂剂的N-外延层。阳使用钼或铝等材料制成阻档层。用二氧化硅（SiO2）来消除边缘区域的电场，提高管子的耐压值。N型基片具有很小的通态电阻，其掺杂浓度较H-层要高**倍。在基片下边形成N+阴层，其作用是减小阴的接触电阻。通过调整结构参数，N型基片和阳金属之间便形成肖特基势垒，如图所示。当在肖特基势垒两端加上正向偏压（阳金属接电源正，N型基片接电源负）时，肖特基势垒层变窄，其内阻变小；反之，若在肖特基势垒两端加上反向偏压时，肖特基势垒层则变宽，其内阻变大。

肖特基缺陷是由于晶体表面附近的原子热运动到表面，在原来的原子位置留出空位，然后内部邻近的原子再进入这个空位，这样逐步进行而造成的，看来就好像是晶体内部原子跑到晶体表面来了。显然，对于离子晶体，阴阳离子空位总是成对出现；但若是单质，则无这种情况。除了表面外，肖特基缺陷也可在位错或晶界上产生。这种缺陷在晶体内也能运动，也存在着产生和复合的动态平衡。对一定的晶体来说，在确定的温度下，缺陷的浓度也是一定的。空位缺陷的存在可用场离子显微镜直接观察到。

如何选用肖特基二管
开关电源当中我们经常会用到肖特基二管，但是由于不同厂商等原因性能上就相差很大，我们选择肖特基时必须要考虑以下几点参数：
1.导通压降VF：VF为二管正向导通时二管两端的压降，选择肖特基二管是尽量选择VF较小的二管。
2.反向饱和漏电流IR：IR指在二管两端加入反向电压时，流过二管的电流，肖特基二管反向漏电流较大，选择肖特基二管是尽量选择IR较小的二管。
3.额定电流IF：指二管长期运行时，根据允许温升折算出来的平均电流值。
4.*大浪涌电流IFSM：允许流过的过量的正向电流。它不是正常电流，而是瞬间电流，这个值相当大。
5.*大反向峰值电压VRM：即使没有反向电流，只要不断地提高反向电压，迟早会使二管损坏。这种能加上的反向电压，不是瞬时电压，而是反复加上的正反向电压。因给整流器加的是交流电压，它的*大值是规定的重要因子。*大反向峰值电压VRM指为避免击穿所能加的*大反向电压。
6.*大直流反向电压VR：上述*大反向峰值电压是反复加上的峰值电压，VR是连续加直流电压时的值。用于直流电路，*大直流反向电压对于确定允许值和上限值是很重要的。
7.*高工作频率fM：由于PN结的结电容存在，当工作频率**过某一值时，它的单向导电性将变差。肖特基二管的fM值较高，*大可达100GHz。
8.反向恢复时间Trr：当工作电压从正向电压变成反向电压时，二管工作的理想情况是电流能瞬时截止。实际上，一般要延迟一点点时间。决定电流截止延时的量，就是反向恢复时间。虽然它直接影响二管的开关速度，但不一定说这个值小就好。也即当肖特基二管由导通突然反向时，反向电流由很大衰减到接近IR时所需要的时间。大功率开关管工作在高频开关状态时，此项指标至为重要。

注意事项
肖特基二管的结构及特点使其适合于在低压、大电流输出等场合用作高频整流，在高频率下用于检波和混频，肖特基二管在高速逻辑电路中用作箝位。在IC中也常使用肖特基二管，在高速计算机中也被广泛采用。除了普通PN结二管的特性参数之外，肖特基二管用于检波和混频的电气参数还包括中频阻抗，指的就是肖特基二管施加额定本振功率时对*中频所呈现的阻抗。以上就是小编对于肖特基二管具体介绍，希望对大家有所借鉴作用。

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