常州晶闸管 KP8 300-78

晶闸管的种类：
1、按关断、导通及控制方式分类：晶闸管按其关断、导通及控制方式可分为普通晶闸管、双向晶闸管、逆导晶闸管、门关断晶闸管（GTO）、BTG晶闸管、温控晶闸管和光控晶闸管等多种；
2、按引脚和性分类：晶闸管按其引脚和性可分为二晶闸管、三晶闸管和四晶闸管；
3、按封装形式分类：晶闸管按其封装形式可分为金属封装晶闸管、塑封晶闸管和陶瓷封装晶闸管三种类型。其中，金属封装晶闸管又分为螺栓形、平板形、圆壳形等多种；塑封晶闸管又分为带散热片型和不带散热片型两种；
4、按电流容量分类：晶闸管按电流容量可分为大功率晶闸管、率晶闸管和小功率晶闸管三种。通常，大功率晶闸管多采用金属壳封装，而中、小功率晶闸管则多采用塑封或陶瓷封装；
5、按关断速度分类：晶闸管按其关断速度可分为普通晶闸管和高频（快速）晶闸管。
晶闸管的工作过程
晶闸管是四层三端器件,它有J1、J2、J3三个PN结,可以把它中间的NP分成两部分,构成一个PNP型三极管和一个NPN型三极管的复合管。
当晶闸管承受正向阳极电压时,为使晶闸管导通,必须使承受反向电压的PN结J2失去阻挡作用。每个晶体管的集电极电流同时就是另一个晶体管的基较电流。因此是两个互相复合的晶体管电路,当有足够的门较电流Ig流入时,就会形成强烈的正反馈,造成两晶体管饱和导通。
设PNP管和NPN管的集电极电流分别为IC1和IC2,**较电流相应为Ia和Ik,电流放大系数相应为α1=IC1/Ia和α2=IC2/Ik,设流过J2结的反相漏电流为ICO,晶闸管的阳极电流等于两管的集电极电流和漏电流的总和:
Ia=IC1+IC2+ICO
=α1Ia+α2Ik+ICO (1)
若门较电流为Ig,则晶闸管阴极电流为:Ik=Ia+Ig。
硅PNP管和硅NPN管相应的电流放大系数α1和α2随其**较电流的改变而急剧变化。当晶闸管承受正向阳极电压,而门较未接受电压的情况下,式(1)中Ig=0,(α1+α2)很小,故晶闸管的阳极电流Ia≈ICO,晶闸管处于正向阻断状态;当晶闸管在正向门较电压下,从门较G流入电流Ig,由于足够大的Ig流经NPN管的**结,从而提高放大系数α2,产生足够大的集电极电流IC2流过PNP管的**结,并提高了PNP管的电流放大系数α1,产生较大的集电极电流IC1流经NPN管的**结,这样强烈的正反馈过程迅速进行。
当α1和α2随**较电流增加而使得(α1+α2)≈1时,式(1)中的分母1-(α1+α2)≈0,因此提高了晶闸管的阳极电流Ia。这时,流过晶闸管的电流完全由主回路的电压和回路电阻决定,晶闸管已处于正向导通状态。晶闸管导通后,式(1)中1-(α1+α2)≈0,即使此时门较电流Ig=0,晶闸管仍能保持原来的阳极电流Ia而继续导通,门较已失去作用。在晶闸管导通后,如果不断地减小电源电压或回路电阻,使阳极电流Ia减小到维持电流IH以下时,由于α1和α2迅速下降,晶闸管恢复到阻断状态。

晶闸管损坏原因判断
当晶闸管损坏后需要检查分析其原因时，可把管芯从冷却套中取出，打开芯盒再取出芯片，观察其损坏后的痕迹，以判断是何原因。下面介绍几种常见现象分析。
1、电压击穿。晶闸管因不能承受电压而损坏，其芯片中有一个光洁的小孔，有时需用扩大镜才能看见。其原因可能是管子本身耐压下降或被电路断开时产生的高电压击穿。
2、电流损坏。电流损坏的痕迹特征是芯片被烧成一个凹坑，且粗糙，其位置在远离控制较上。
3、电流上升率损坏。其痕迹与电流损坏相同，而其位置在控制较附近或就在控制较上。
4、 边缘损坏。他发生在芯片外圆倒角处，有细小光洁小孔。用放大镜可看到倒角面上有细细金属物划痕。这是制造厂家安装不慎所造成的。它导致电压击穿。

晶闸管的主要参数
(1)断态重复峰值电压UDRM
门较开路,重复率为每秒50次,每次持续时间不大于10ms的断态脉冲电压,UDRM=90%U*,U*为断态不重复峰值电压。U*应比UBO小,所留的裕量由生产厂家决定。
(2)反向重复峰值电压URRM
其定义同UDRM相似,URRM=90%URSM,URSM为反向不重复峰值电压。
(3)额定电压
选UDRM和URRM中较小的值作为额定电压,选用时额定电压应为正常工作峰值电压的2～3倍,应能承受经常出现的过电压。

晶闸管的选用
1、选择晶闸管的类型：晶闸管有多种类型，应根据应用电路的具体要求合理选用。
若用于交直流电压控制、可控整流、交流调压、逆变电源、开关电源保护电路等，可选用普通单向晶闸管。
若用于交流开关、交流调压、交流电动机线性调速、灯具线性调光及固态继电器、固态接触器等电路中，应选用双向晶闸管。
若用于交流电动机变频调速、斩波器、逆变电源及各种电子开关电路等，可选用门较关断晶闸管。
若用于锯齿波发生器、长时间延时器、过电压保护器及大功率晶体管触发电路等，可选用BTG晶闸管。
若用于电磁灶、电子镇流器、超声波电路、**导磁能储存系统及开关电源等电路，可选用逆导晶闸管。
若用于光电耦合器、光探测器、光报警器、光计数器、光电逻辑电路及自动生产线的运行电路，可选用光控晶闸管。
2、选择晶闸管的主要参数：晶闸管的主要参数应根据应用电路的具体要求而定。
所选晶闸管应留有一定的功率裕量，其额定峰值电压和额定电流(通态平均电流)均应**受控电路的工作电压和工作电流1．5～2倍。
晶闸管的正向压降、门较触发电流及触发电压等参数应符合应用电路(指门较的控制电路)的各项要求，不能偏高或偏低，否则会影响晶闸管的正常工作。

上海秦邦电子科技有限公司成立于2000年，自创办以来，以市场为导向，积累了丰富的营销经验。并长年备有现货库存，业务遍布全国各地！产品应用范围遍及信息通讯、仪器仪表、航天**、船舶消防、科研实验等各大领域!我们秉承:诚信为本!互惠互利! 质量**!信誉**!的企业理念，将一如既往的为您服务，您的满意是我们永远的追求!相信以我们的诚信优质优价完善*的服务会让您满意和信赖的! 是一家专业性的功率模块半导体供应商，销售世界**电子元器件，长期备有现货库存，公司的主要经营对象有变频器及配套设备，电力电子器件，功率模块及电源模块。多年的诚信销售使得产品被广泛应用于冶金、矿山、风电、电镀、电解、交通、电焊机、电力、医疗器械等行业的装置中。现企业在大陆已发展成为集产品研发、生产制造、商贸、进出口、投资及网络销售于一体的综合型企业。公司优质的产品质量，遍布国内的销售网络，**周到的售后服务博得国内外用户的一致**。优势代理产品为大功率平板式晶闸管、可控硅、二极管、IGBT、整流桥、驱动板、快恢复二极管品牌如EUPEC、西门康、西码、三菱、ABB、三社、IR、明纬开关电源等国外功率模块。在国内严格按照**标准生产：ZP型普通整流管、ZK型快速整流管、KP型普通晶闸管、 KS型双向晶闸管、KK型快速晶闸管、KG型高频晶闸管、桥式整流器、电力模块、肖特基模块、 SF**快恢复二极管、电焊机**模块、固态继电器、固态调压器、型材散热器等电力半导体器件。期待与贵公司的合作！