射频微波毫米波厚薄膜陶瓷集成电路程控衰减器芯片DC-40ghz

程控衰减器芯片
程控衰减器芯片  Dc to 40GHz 1db to 40dB
 详细介绍
9程控衰减芯片Program Attenuator Chips
9.1特性Features
      薄膜工艺制作的电阻网络衰减芯片Thin film resistor network attenuator chip
      电极结构TaN/TiW/Ni/Au，金层厚度至少4um Metallization type: TaN/TiW/Ni/Au & 4 micron Au thickness Min.
      频率高至40GHz，衰减范围1dB～40dB Working frequency up to 40GHz，Attenuation range from 1dB to 40dB
9.2运用Applications
      程控步进衰减器Programmable Step Attenuator
9.3衰减芯片结构Figuration
     
9.4选型指导Selection Guide
      基片种类: 99.6%氧化铝、95%氮化铝、氧化铍  Substrate material: 99.6% Al2O3 95% AlN BeO
      厚度范围: 0.254mm、0.381mm、0.508mm、0.635mm、1mm及其它客户定制规格
                       Substrate thickness range: 0.254mm、0.381mm、0.508mm、0.635mm、1mm & other custom required size
      衰减值范围:1dB to 40dB  Attenuation range: 1dB to 40dB
      衰减精度Attenuation Accuracy : 1dB to 20dB:  +/- 0.5dB  21dB to 40dB: +/- 1.0dB
      频率范围Fre. Range : Dc to 12Ghz; Dc to 18GHz; Dc to 26GHz; Dc to 40GHz
      驻波比VSWR : DC to 12Ghz: 1.20Max;  12 to 18Ghz :1.25 Max;  18 to 26GHz: 1.35 Max; 26 to 40GHz 1.50Max
      功率Power rating: Max 2 Watts

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