供应 鹏城半导体 热丝法化学气相沉积CVD金刚石 单面 双面镀膜 非标定制

热丝法化学气相沉积CVD金刚石（热丝CVD金刚石设备）

鹏城半导体研发设计制造了热丝CVD金刚石设备，分为实验型设备和生产型设备两类。

设备主要用于微米晶和纳米晶金刚石薄膜的研发和生产。可用于力学级别、热学级别、光学级别、声学级别的金刚石产品的研发生产。

可以制造大尺寸金刚石多晶晶圆片，用于大功率器件、高频器件及大功率激光器的散热热沉。

可用于生产制造防腐耐磨硬质涂层；环保领域污水处理用的金刚石产品。

可用于平面工件的金刚石薄膜制备，也可用于刀具表面或其它不规则表面的金刚石硬质涂层制备。

可用于太阳能薄膜电池的研发与生产。

平面工作尺寸

圆形平面工作的尺寸：φ600mm。

矩形工作尺寸的宽度600mm/长度可根据镀膜室的长度确定（如：工件长度1200mm）。

配置冷水样品台。

可单面镀膜也可双面镀膜。

热丝电源功率

可达300KW，1KW ～300KW可调（可根据用户工艺需求配置功率范围）

设备安全性

-电力系统的检测与保护

-设置真空检测与报警保护功能

-冷却循环水系统压力检测和流量检测与报警保护

-设置水压检测与报警保护装置

-设置水流检测报警装置

设备构成

真空室构成

双层水冷结构，立式圆形、立式D形、立式矩形、卧式矩形,前后开门，真空尺寸,根据工件尺寸和数量确定。

热丝

热丝材料：钽丝、或钨丝

热丝温度：1800℃～ 2500℃ 可调

样品台

可水冷、可加偏压、可旋转、可升降 ，由调速电机控制，可实现自动升降，（热丝与衬底间距在5 ～ 100mm范围内可调），要求升降平稳,上下波动不大于0.1mm。



工作气路（CVD）

工作气路根据用户工艺要求配置：

下面气体配置是某一用户的配置案例。

H2(5000sccm，浓度**)

CH4(200sccm，浓度**)

B2H6（50sccm，H2浓度99%）

Ar(1000sccm，浓度**)

真空获得及测量系统

控制系统及软件

生产型热丝CVD金刚石设备

可制备金刚石面积-宽600*1200mm

关于鹏城半导体
   鹏城半导体技术（深圳）有限公司，由哈尔滨工业大学（深圳）与有多年实践经验的工程师团队共同发起创建。公司立足于技术qian*yan与市场qian*yan的交叉点，寻求chuang*xin*yin*ling与可持续发展，解决产业的痛点和国产化难题，争取产业链的自主可控。
  公司he*xin业务是微纳技术与gao duan精密制造，具体应用领域包括半导体材料、半导体工艺和半导体装备的研发设计和生产制造。
  公司人才团队知识结构完整，有以哈工大教授和博士为he*xin的高水平材料研究和工艺研究团队；还有来自工业界的gao*ji装备设计师团队，他们具有20多年的半导体材料研究、外延技术研究和半导体薄膜制备成套装备设计、生产制造的经验。
  公司依托于哈尔滨工业大学（深圳），具备xian*jin的半导体研发设备平台和检测设备平台，可以在高起点开展科研工作。公司总部位于深圳市，具备半导体装备的研发、生产、调试以及半导体材料与器件的中试、生产、销售的能力。

公司已投放市场的部分半导体设备

|物li*qi相沉积（PVD）系列

磁控溅射镀膜机、电子束镀膜机、热蒸发镀膜机，激光沉积设备PLD、离子束溅射镀膜机、磁控与离子束复合镀膜机

|化学气相沉积（CVD）系列

MOCVD、PECVD、LPCVD、微波等离子体CVD、热丝CVD、原子层沉积设备ALD

|**高真空系列

分子束外延系统（MBE）、激光分子束外延系统（LMBE）

|成套设备

团簇式太阳能薄膜电池中试线、OLED中试设备（G1、G2.5）

|其他

金刚石薄膜制备设备、合金退火炉、硬质涂层设备、磁性薄膜设备、电极制备设备

|真空镀膜机zhuan*yong电源/真空镀膜机控制系统及软件

直流溅射电源、RF射频溅射电源、gao*jing*du热蒸发电源、高能直流脉冲电源（中频可调脉宽）

控制系统及软件

团队部分业绩分布

   完全自主设计制造的分子束外延（MBE）设备，包括自主设计制造的MBE*chao高真空外延生长室、工艺控制系统与软件、高温束源炉、高温样品台、Rheed原位实时在线监控仪（反射高能电子衍射仪）、直线型电子qiang、膜厚仪（可计量外延生长的分子层数）、射频源等关键部件。真空度达到2×10-8Pa。
   设备于2005年在浙江大学光学仪器guo*jia*zhong*dian实验室投入使用，至今仍在正常使用。
   设计制造磁控溅射与等离子体增强化学气相沉积法PECVD技术联合系统，应用于团簇式太阳能薄膜电池中试线。使用单位中科院电工所。
   设计制造了金刚石薄膜制备设备，应用于金刚石薄膜材料的研究与中试生产设备。现使用单位中科院金属研究所。
   设计制造了全自动磁控溅射设备，可加水平磁场和垂直磁场，自行设计的真空机械手传递基片。应用于高密度磁记录材料与器件的研究和中试。现使用单位guo*jia光电实验室。
   设计制造了OLED*you*ji半导体发光材料及器件的研究和中试成套装备。现使用单位中国香港城市大学xian*jin材料实验室。
   设计制造了MOCVD及合金退火炉，用于GaN和ZnO的外延生长，实现LED无机半导体发光材料与器件的研究和中试。现使用单位南昌大学guo*jia硅基LED工程技术研究中心。
   设计制造了磁控溅射研究型设备。现使用单位浙江大学半导体所。
   设计制造了电子束蒸发仪研究型设备。现使用单位武汉理工大学。

团队在di三代半导体装备及工艺方面的技术积累
2001年 与南昌大学合作
设计了中试型的全自动化监控的MOCVD，用于外延GaN和ZnO。
2005年 与浙江大学光学仪器guo*jia*zhong*dian实验室合作
设计制造了di*yi台完全自主zhi*shi*chan*quan的分子束外延设备，用于外延光电半导体材料。
2006年  与中国科技大学合作
设计**高温CVD 和MBE。
用于4H晶型SiC外延生长。
2007年 与兰州大学物理学院合作
设计制造了光学级金刚石生长设备（采用热激发技术和CVD技术）。
2015年  中科院金属研究所沈阳材料科学guo*jia（联合）实验室合作
设计制造了金刚石薄膜制备，制备了金刚石电极、微米晶和纳米晶金刚石薄膜、导电金刚石薄膜。
2017年
-优化Rheed设计，开始生产型MBE设计。
-开始研制PVD方法外延GaN的工艺和装备，目前正在进行设备工艺验证。
2019年 设计制造了大型热丝CVD金刚石薄膜的生产设备。
2021年 MBE生产型设计。
2022年 大尺寸金刚石晶圆片制备（≥Φ6英寸）。
2023年 PVD方法外延氮化镓装备与工艺攻关。