手机中电源IC的应用
手机是电源管理IC为重要的应用场合。多媒体和3G手机对高画质视频、多媒体数据流、音频播放、清晰的显示及多等需求不断提升, 但这些功能却会大量消耗电源, 其中绝大多数的电源电压并不相同, 随着电流需求不断增加, 使得它们需要多电能, 例如从2G语音电话升级到3G视讯电话后, 对功率需求便增加一倍。在同一手机中融人多元化的功能, 其功率消耗也会随之增加, 这是未来电源管理芯片发展的明确趋势。
由于手机大量采用LDO来为手机各个部件进行供电,LDO 虽然具有成本低、封装小、器件少和噪音小的特点, 但其转换效率低, 且只能用于降压的场合, 加上LDO效率取决于输出/输入电压之比, 在输入电压为3.6V、输出电压为1.5V的情况下, 效率只有41.7%, 这样低的效率在输出电流较大时, 不仅会浪费很多电能, 而且会造成芯片发热影响系统稳定性。而3G手机各个部件需要多个电压等级的供电, 在很多情况下, 尤其是压差大的情况下, LDO已经难以满足供电需求, 因此DC/DC的解决方法成为一种取代LDO的解决方案。
DC/DC转换的优势是升、降压均适用, 效率又高, 目前已经有自动PFM/PWM方式和用DC/DC+LDO双模式的电源管理解决方案, 虽然无论哪种方案成本都将**LDO, 但的确能够解决LDO低效和只能用于降压的问题, 未来3G手机产量的提高和手机电源管理功能的提升, 将在一定程度上手机电源管理IC市场的发展。
CR6850D 是一款高集成度,低功耗的电
流模 PWM 控制芯片,该芯片适用于离线式
AC-DC 反激拓扑的小功率电源模块。芯片可
以通过外接电阻改变工作频率;在轻载和无负
载情况下自动进入 PFM 和 CRM,这样可以
有效减小电源模块的待机功耗,达到绿色节能
的目的。CR6850D 具有很低的启动电流,因
此可以采用一个 2 兆欧姆的启动电阻。为了提
高系统的稳定性,防止次谐波振荡,CR6850D
内置了同步斜坡补偿电路;而动态峰值限制电
路减小了在宽电压输入(90V~264V)时大输
出功率的变化;内置的*消隐电路可以消除
开关管每次开启产生的干扰。CR6850D 内置
了多种保护功能:过压保护 、逐周期峰值电
流限制、欠压锁定(可以用它实现短路和过流
保护)以及输出驱动的高电平钳位在 16.8V
以下。而驱动输出采用的图腾柱和软驱动有效
降 低 了 开 关 噪 声 。 CR6850D 提 供
SOT-23-6L,SOP-8L 和 DIP-8L 无铅封装。
为适应大功率应用市场,CR5822 可以通过 PFCVCC PIN 对 PFC 控制器这一级的 VCC
供电,避免传统应用中 PFC 控制器电源通过应用绕组供电,从而减少器件以及降
系统低待机功耗。在不正常或者空载模式下,PFCVCC 将关闭输出。
CR5822 通过 CS 引脚来采样功率 MOSFET 上的电流。CR5822 设计有逐周期的电流限
制,并且可以根据不同的线电压值调整峰值电流的设定值,实现衡功率输出。
CR5822在CS端设计了一个*消隐电路来防止在开关导通时错误的过流保护被触发。
它可以代替传统的外接 RC 滤波电路,节省元件。
CR5822 可以通过在 SS 引脚到地之间连接一个电容来设定软启动时间。内置的 10uA 电流源对电容充电,当电容上的电压达到 2.1V 时,软启动结束。之后,内部的 10uA 电流源
会被关闭,SS 引脚上的电压会逐渐下降。每次系统的重启都会伴随软启动。
CR5822 有三种工作模式,分别是:重载时的准谐振(QR)模式,轻载时的 PFM 模式
和空载时的突发模式。系统工作于哪一种模式取决于 FB 电压,详见电特性指标。
QR 模式可以使功率 MOSFET 在其 Drain 端电压低时开启,实现了软开关功能,可以
有效的降低功耗,提率。在芯片内部还为 QR 模式设置了频率的上限(130kHZ)
和下限点(40kHZ),保证系统工作在一个可靠的频率范围并拥有良好的 EMI 特性。
当系统的负载减小时,PFM 模式可以使功率 MOSFET 的开关频率随负载的降低而降低,
减小了不必要的开关损耗,与固定频率的 PWM 模式相比,拥有高的效率。在负载很轻或
空载状态下,突发模式可以长时间的关闭功率 MOSFET。这可以大限度的避免不必要的
开关动作,提率。突发模式的工作频率是 20KHZ。
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