• 贴片二管HER104

    贴片二管HER104

  • 2019-10-21 08:49 46
  • 产品价格:面议
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  • 信息编号:50481013公司编号:4226344
  • 陈女士 经理
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    产品描述
    二管是*早诞生的半导体器件之一,其应用非常广泛。特别是在各种电子电路中,利用二管和电阻、电容、电感等元器件进行合理的连接,构成不同功能的电路,可以实现对交流电整流、对调制信号检波、限幅和钳位以及对电源电压的稳压等多种功能 [3] 。无论是在常见的收音机电路还是在其他的家用电器产品或工业控制电路中,都可以找到二管的踪迹
    贴片二管HER104
    平面型二管
    平面型二管在脉冲数字电路中作开关管使用时PN结面积小,用于大功率整流时PN结面积较大
    面接触型二管
    面接触型二管的PN结接触面积大,可以通过较大的电流,也能承受较高的反向电压,适宜在整流电路中使用
    贴片二管HER104
    二管是用半导体材料(硅、硒、锗等)制成的一种电子器件 。它具有单向导电性能, 即给二管阳和阴加上正向电压时,二管导通。 当给阳和阴加上反向电压时,二管截止。 因此,二管的导通和截止,则相当于开关的接通与断开 。
    二管是*早诞生的半导体器件之一,其应用非常广泛。特别是在各种电子电路中,利用二管和电阻、电容、电感等元器件进行合理的连接,构成不同功能的电路,可以实现对交流电整流、对调制信号检波、限幅和钳位以及对电源电压的稳压等多种功能 。无论是在常见的收音机电路还是在其他的家用电器产品或工业控制电路中,都可以找到二管的踪迹
    结构组成
    二管就是由一个PN结加上相应的电引线及管壳封装而成的。
    采用不同的掺杂工艺,通过扩散作用,将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体(通常是硅或锗)基片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结。
    由P区引出的电称为阳,N区引出的电称为阴。因为PN结的单向导电性,二管导通时电流方向是由阳通过管子内部流向阴。
    二管的电路符号如图所示。二管有两个电,由P区引出的电是正,又叫阳;由N区引出的电是负,又叫阴。三角箭头方向表示正向电流的方向,二管的文字符号用VD表示。
    PN结单向导电性
    在PN结外加正向电压V,在这个外加电场的作用下,PN结的平衡状态被打破,P区中的空穴和N区的电子都要PN结移动,空穴和PN结P区的负离子中和,电子和PN结N区的正离子中和,这样就使PN结变窄。随着外加电场的增加,扩散运动进一步增强,漂移运动减弱。当外加电压**过门槛电压,PN结相当于一个阻值很小的电阻,也就是PN结导通。
    二管的主要原理就是利用PN结的单向导电性,在PN结上加上引线和封装就成了一个二管。
    晶体二管为一个由P型半导体和N型半导体形成的PN结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电场。当不存在外加电压时,由于PN结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。
    当外界有正向电压偏置时,外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时,外界电场和自建电场进一步加强,形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流。
    当外加的反向电压高到一定程度时,PN结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程,产生大量电子空穴对,产生了数值很大的反向击穿电流,称为二管的击穿现象。PN结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分。
    PN结形成原理
    P型半导体是在本征半导体(一种完全纯净的、结构完整的半导体晶体)掺入少量三价元素杂质,如硼等。
    P型和N型半导体
    P型和N型半导体
    因硼原子只有三个价电子,它与周围的硅原子形成共价键,因缺少一个电子,在晶体中便产生一个空位,当相邻共价键上的电子获得能量时就有可能填补这个空位,使硼原子成了不能移动的负离子,而原来的硅原子的共价键则因缺少一个电子,形成了空穴,但整个半导体仍呈中性。这种P型半导体中以空穴导电为主,空穴为多数载流子,自由电子为少数载流子。
    N型半导体形成的原理和P型原理相似。在本征半导体中掺入五价原子,如磷等。掺入后,它与硅原子形成共价键,产生了自由电子。在N型半导体中,电子为多数载流子,空穴为少数载流子。
    因此,在本征半导体的两个不同区域掺入三价和
    PN结
    PN结
    五价杂质元素,便形成了P型区和N型区,根据N型半导体和P型半导体的特性,可知在它们的交界处就出现了电子和空穴的浓度差异,电子和空穴都要从浓度高的区域向浓度低的区域扩散,它们的扩散使原来交界处的电中性被破坏。
    PN结单向导电性
    在PN结外加正向电压V,在这个外加电场的作用下,PN结的平衡状态被打破,P区中的空穴和N区的电子都要PN结移动,空穴和PN结P区的负离子中和,电子和PN结N区的正离子中和,这样就使PN结变窄。随着外加电场的增加,扩散运动进一步增强,漂移运动减弱。当外加电压**过门槛电压,PN结相当于一个阻值很小的电阻,也就是PN结导通。
    贴片二管HER104
    二管的主要原理就是利用PN结的单向导电性,在PN结上加上引线和封装就成了一个二管晶体二管为一个由P型半导体和N型半导体形成的PN结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电场。当不存在外加电压时,由于PN结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。

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