供应磁屏蔽材料

磁屏蔽材料 
基本原理
当磁场的频率很低（工频或100KHz以下）时，传统的屏蔽方法几乎没有作用。低频磁场一般由马达、发电机、变压器等设备产生。这些磁场会对利用磁场工作的设备产生影响，如阴极射线管中的电子束是在磁场的控制下进行扫描的，当有外界磁场干扰时，电子束的偏转会发生变化，使图像失真。
低频磁场的屏蔽是使用铁磁性材料将敏感器件包起来。屏蔽的作用是为磁场提供一条低磁阻的通路，使敏感器件周围的磁力线集中在屏蔽材料中，从而起到屏蔽的作用。
设计中的一个关键是选择一种材料既能提供足够的屏蔽效能，又不至于发生饱和。当要屏蔽的磁场很强时，一层屏蔽可能满足不了要求，这时可以采用多层屏蔽。多层屏蔽的原理是先用导磁率较低，不易饱和的材料将磁场衰减到一定的程度，然后再用磁导率很高(通常*发生饱和)的材料进行进一步衰减。因此低导磁率的材料应靠近干扰源。
*的封闭体能够提供较理想的磁屏蔽效果。但在实践中，不封闭的结构，如五面体或较少面的结构，甚至平板也能提供满足要求的屏蔽效能。当使用平板时，应使平板体的长度和宽度大于干扰源到敏感源之间的距离。由于材料的磁阻与屏蔽结构的尺寸有关，因此除了选用合适的材料以外，尽量缩短磁路的长度、增加截面积也能增加磁屏蔽效能。
磁屏蔽材料特性
   CO—NETIC和NETIC材料是两种特殊的磁屏蔽材料。CO-NETIC材料具有较高的导磁率，可以有效衰减低频磁场干扰，达到较高磁场屏蔽，NETIC材料有较好的抗磁饱和能力，能在强磁场产生一定衰减。
 
a.材料的选用
   CO—NETIC AA材料主要用于低场强的场合。NETICS3—6材料由于具高磁饱和强度特性，主要用于强磁场的场合。当联合使用构成多层屏蔽时，NETIC材料靠近干扰源，CO—NETIC材料靠近被保护的器件。
 
b.焊接方法
亚弧焊是理想的焊接方法，因为亚弧焊过程中不使用填充料，可以保持导磁的连续性。当使用填充料时，应使用母料的材料。在许多场合，使用点焊可以降低成本，并提供较好的效果。为了保持较好的磁通路，点焊的密度应尽量大。
 
 
c.C0一NETIC材料的退火处理
 为了获得较佳的磁屏蔽效果，加工完成后应进行退火处理。退火的温度和冷却速率**严格控制才能获得较佳的磁屏蔽效能。炉内的气体是一个关键的因素。理想的气体是纯、干躁氢气。退火的较佳温度是112l℃，保持4个小时。然后以每小时222℃的速率冷却，直到600℃。600℃以后，冷却速率可以加快。达到315℃时，就可以将材料暴露在普通大气中。当材料较薄时，为了防止变形，可以使用1065℃的温度。
 
IC材料的退火
NETIC材料的较佳退火温度是843℃，时间和温度的控制要求**CO—NETIC材料。
 
e.CO—NETIC材料的涂覆处理
CO—NETIC材料由于含镍量很高，具有很好的抗腐蚀特性。在氢气中退火后，呈现光亮的表面，因此一般不需要涂覆处理。**进行涂覆处理时，可以按普通的程序进行。
 
IC材料的喷漆处理
 为了保护材料的表面不被氧化，可以使用以下的处理步骤：
 (1)*表面的油污
 (2)对表面进行磷化处理
 (3)锌磷酸盐处理
 (4)使用适当的漆喷涂