• 分销MOS管 AO3407

    分销MOS管 AO3407

  • 2023-10-13 11:45 10
  • 产品价格:面议
  • 发货地址:广东省深圳市福田区包装说明:不限
  • 产品数量:不限产品规格:不限
  • 信息编号:110416351公司编号:4226344
  • 陈女士 经理
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    产品描述
    型号齐全:
    2SK3018
    AO3400
    AO3401
    AO3402
    AO3407
    AO3409
    AO3415
    PT8205
    SI2300
    SI2305
    SI2310
    SI2312
    分销MOS管
    mos管是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。
    分销MOS管
    晶体管极性:N Channel 
    漏较电流, Id 大值:100mA 
    电压, Vds 大:30V 
    开态电阻, Rds(on):8ohm 
    电压 @ Rds测量:4V 
    电压, Vgs 高:20V 
    功耗:200mW 
    工作温度范围:-55°C to +150°C 
    封装类型:SOT-323 
    封装类型:SOT-323 
    晶体管类型:Small Signal 
    电压 Vgs @ Rds on 测量:4V 
    电压, Vds 典型值:30V 
    电流, Id 连续:10mA 
    表面安装器件:表面安装 
    阈值电压, Vgs th 典型值:1.5V
    分销MOS管
    选择到一款正确的MOS管,可以地控制生产制造成本,为重要的是,为产品匹配了一款恰当的元器件,这在产品未来的使用过程中,将会充分发挥其“螺丝钉”的作用,确保设备得到、稳定、持久的应用效果。那么面对市面上琳琅满目的MOS管,该如何选择呢?下面,我们就分7个步骤来阐述MOS管的选型要求。
    MOS管是电子制造的基本元件,但面对不同封装、不同特性、不同的MOS管时,该如何抉择?有没有省心、省力的遴选方法?
    先是确定N、P沟道的选择
    MOS管有两种结构形式,即N沟道型和P沟道型,结构不一样,使用的电压性也会不一样,因此,在确定选择哪种产品前,先需要确定采用N沟道还是P沟道MOS管。
    MOS管选型技巧
    MOS管的两种结构:N沟道型和P沟道型
    在典型的功率应用中,当一个MOS管接地,而负载连接到干线电压上时,该MOS管就构成了低压侧开关。在低压侧开关中,应采用N沟道MOS管,这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。
    当MOS管连接到总线及负载接地时,就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P沟道MOS管,这也是出于对电压驱动的考虑。
    要选择适合应用的器件,必须确定驱动器件所需的电压,以及在设计中简易执行的方法。
    第二步是确定电压
    额定电压越大,器件的成本就越高。从成本角度考虑,还需要确定所需的额定电压,即器件所能承受的大电压。根据实践经验,额定电压应当大于干线电压或总线电压,一般会留出1.2~1.的电压余量,这样才能提供足够的保护,使MOS管失效。
    就选择MOS管而言,必须确定漏至源间可能承受的大电压,即大VDS。由于MOS管所能承受的大电压会随温度变化而变化,设计人员必须在整个工作温度范围内测试电压的变化范围。额定电压必须有足够的余量覆盖这个变化范围,确保电路失效。
    此外,设计还需要考虑其他安全因素:如由开关电子设备(常见有电机或变压器)诱发的电压瞬变。另外,不同应用的额定电压也有所不同;通常便携式设备选用20V的MOS管,FPGA电源为20~30V的MOS管,85~220V AC应用时MOS管VDS为450~600V。
    第三步为确定电流
    确定完电压后,接下来要确定的就是MOS管的电流。需根据电路结构来决定,MOS管的额定电流应是负载在所有情况下都能够承受的大电流;与电压的情况相似,MOS管的额定电流必须能满足系统产生尖峰电流时的需求。电流的确定需从两个方面着手:连续模式和脉冲尖峰。在连续导通模式下,MOS管处于稳态,此时电流连续通过器件。脉冲尖峰是指有大量电涌(或尖峰电流)流过器件。一旦确定了这些条件下的大电流,只需直接选择能承受这个大电流的器件便可。
    选好额定电流后,还必须计算导通损耗。在实际情况下,MOS管并不是理想的器件,因为在导电过程中会有电能损耗,也就是导通损耗。MOS管在“导通”时就像一个可变电阻,由器件的导通电阻RDS(ON)所确定,并随温度而显著变化。器件的功率损耗PTRON=Iload2×RDS(ON)计算(Iload:大直流输出电流),由于导通电阻会随温度变化,因此功率耗损也会随之按比例变化。对MOS管施加的电压VGS越高,RDS(ON)就会越小;反之RDS(ON)就会越高。
    对系统设计人员来说,这就需要折中权衡。对便携式设计来说,采用较低的电压即可(较为普遍);而对于工业设计来说,可采用较高的电压。需要注意的是,RDS(ON)电阻会随着电流轻微上升。
    技术对器件的特性有着重大影响,因为有些技术在提高大VDS(漏源额定电压)时往往会使RDS(ON)。对于这样的技术,如果打算降低VDS和RDS(ON),那么就得增加晶片尺寸,从而增加与之配套的封装尺寸及相关的开发成本。业界现有好几种试图控制晶片尺寸增加的技术,其中主要的是沟道和电荷平衡技术。
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