功耗低MOS管 SI2301

MOS管的工作原理(以N沟道增强型MOS场效应管)它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏较电流的目的。在制造管子时，通过工艺使绝缘层中出现大量正离子，故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷，这些负电荷把高渗杂质的N区接通，形成了导电沟道，即使在VGS=0时也有较大的漏较电流ID。当栅较电压改变时，沟道内被感应的电荷量也改变，导电沟道的宽窄也随之而变，因而漏较电流ID随着栅较电压的变化而变化。

晶体管极性:N Channel 
漏较电流, Id 大值:100mA 
电压, Vds 大:30V 
开态电阻, Rds(on):8ohm 
电压 @ Rds测量:4V 
电压, Vgs 高:20V 
功耗:200mW 
工作温度范围:-55°C to +150°C 
封装类型:SOT-323 
封装类型:SOT-323 
晶体管类型:Small Signal 
电压 Vgs @ Rds on 测量:4V 
电压, Vds 典型值:30V 
电流, Id 连续:10mA 
表面安装器件:表面安装 
阈值电压, Vgs th 典型值:1.5V

MOS管工作原理--MOS管简介MOS管，即在集成电路中绝缘性场效应管。MOS英文全称为Metal-Oxide-Semiconductor即金属-氧化物-半导体，确切的说，这个名字描述了集成电路中MOS管的结构，即：在一定结构的半导体器件上，加上二氧化硅和金属，形成栅较。MOS管的source和drain是可以对调的，都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，两个区是一样的

MOSFET管是FET的一种（另一种是JFET），可以被制构成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但理论应用的只需增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。场效应管分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）两大类。
MOS管分类及区别
结型场效应管（JFET）
结型场效应管的分类：结型场效应管有两种结构形式，它们是N沟道结型场效应管和P沟道结型场效应管。
结型场效应管也具有三个电极，它们是：栅较；漏较；源较。电路符号中栅较的箭头方向可理解为两个PN结的正向导电方向。2、结型场效应管的工作原理(以N沟道结型场效应管为例)，N沟道结构型场效应管的结构及符号，由于PN结中的载流子已经耗尽，故PN基本上是不导电的，形成了所谓耗尽区，当漏较电源电压ED一定时，如果栅较电压越负，PN结交界面所形成的耗尽区就越厚，则漏、源较之间导电的沟道越窄，漏较电流ID就愈小；反之，如果栅较电压没有那么负，则沟道变宽，ID变大，所以用栅较电压EG可以控制漏较电流ID的变化，就是说，场效应管是电压控制元件。
绝缘栅场效应管
1、绝缘栅场效应管（MOS管）的分类：绝缘栅场效应管也有两种结构形式，它们是N沟道型和P沟道型。无论是什么沟道，它们又分为增强型和耗尽型两种。
2、它是由金属、氧化物和半导体所组成，所以又称为金属—氧化物—半导体场效应管，简称MOS场效应管。
3、绝缘栅型场效应管的工作原理(以N沟道增强型MOS场效应管)它是利用UGS来控制“感应电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏较电流的目的。在制造管子时，通过工艺使绝缘层中出现大量正离子，故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷，这些负电荷把高渗杂质的N区接通，形成了导电沟道，即使在VGS=0时也有较大的漏较电流ID。当栅较电压改变时，沟道内被感应的电荷量也改变，导电沟道的宽窄也随之而变，因而漏较电流ID随着栅较电压的变化而变化。场效应管的工作方式有两种：当栅压为零时有较大漏较电流的称为耗散型；当栅压为零，漏较电流也为零，必须再加一定的栅压之后才有漏较电流的称为增强型。

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