热销TVS二管P4KE6.8A

二管特性参数
用来表示二管的性能好坏和适用范围的技术指标，称为二管的参数。不同类型的二管有不同的特性参数。 
伏安特性
二管具有单向导电性，二管的伏安特性曲线如图所示
在二管加有正向电压，当电压值较小时，电流小；当电压**过0.6V时，电流开始按指数规律，通常称此为二管的开启电压；当电压达到约0.7V时，二管处于完全导通状态，通常称此电压为二管的导通电压，用符号UD表示 
对于锗二管，开启电压为0.2V，导通电压UD约为0.3V。在二管加有反向电压，当电压值较小时，电流小，其电流值为反向饱和电流IS。当反向电压**过某个值时，电流开始急剧，称之为反向击穿，称此电压为二管的反向击穿电压，用符号UBR表示。不同型号的二管的击穿电压UBR值差别很大，从几十伏到几千伏 
正向特性
外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服PN结内电场的阻挡作用，正向电流几乎为零，这一段称为死区。这个不能使二管导通的正向电压称为死区电压。 
当正向电压大于死区电压以后，PN结内电场被克服，二管正向导通，电流随电压而迅速上升。在正常使用的电流范围内，导通时二管的端电压几乎维持不变，这个电压称为二管的正向电压。 
当二管两端的正向电压**过一定数值  ，内电场很快被削弱，特性电流迅速增长，二管正向导通。  叫做门坎电压或阈值电压，硅管约为0.5V，锗管约为0.1V。硅二管的正向导通压降约为0.6~0.8V，锗二管的正向导通压降约为0.2~0.3V。 
反向特性
外加反向电压不**过一定范围时，通过二管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小，二管处于截止状态。这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流，二管的反向饱和电流受温度影响很大。
一般硅管的反向电流比锗管小得多，小功率硅管的反向饱和电流在nA数量级，小功率锗管在μA数量级。温度升高时，半导体受热激发，少数载流子数目增加，反向饱和电流也随之增加。 
击穿特性
外加反向电压**过某一数值时，反向电流会突然，这种现象称为电击穿。引起电击穿的临界电压称为二管反向击穿电压。电击穿时二管失去单向导电性。如果二管没有因电击穿而引起过热，则单向导电性不一定会被破坏，在撤除外加电压后，其性能仍可恢复，否则二管就损坏了。因而使用时应避免二管外加的反向电压过高。
反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下，因势垒区宽度很小，反向电压较大时，破坏了势垒区内共价键结构，使价电子脱离共价键束缚，产生电子-空穴对，致使电流急剧，这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低，势垒区宽度较宽，不容易产生齐纳击穿。 
另一种击穿为雪崩击穿。当反向电压增加到较大数值时，外加电场使电子漂移速度加快，从而与共价键中的价电子相碰撞，把价电子撞出共价键，产生新的电子-空穴对。新产生的电子-空穴被电场加速后又撞出其它价电子，载流子雪崩式地增加，致使电流急剧增加，这种击穿称为雪崩击穿。无论哪种击穿，若对其电流不加限制，都可能造成PN结性损坏。 
反向电流
反向电流是指二管在常温（25℃）和高反向电压作用下，流过二管的反向电流。反向电流越小，管子的单方向导电性能越好。值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系，大约温度每升高10℃，反向电流一倍。例如2AP1型锗二管，在25℃时反向电流若为250uA，温度升高到35℃，反向电流将上升到500uA，依此类推，在75℃时，它的反向电流已达8mA，不仅失去了单方向导电特性，还会使管子过热而损坏。又如，2CP10型硅二管，25℃时反向电流仅为5uA，温度升高到75℃时，反向电流也不过160uA。故硅二管比锗二管在高温下具有较好的稳定性。
动态电阻
二管特性曲线静态工作点附近电压的变化与相应电流的变化量之比。 
电压温度系数
电压温度系数指温度每升高一摄氏度时的稳定电压的相对变化量。 
高工作频率
高工作频率是二管工作的上限频率。因二管与PN结一样，其结电容由势垒电容组成。所以高工作频率的值主要取决于PN结结电容的大小。若是**过此值。则单向导电性将受影响。
大整流电流
大整流电流是指二管长期连续工作时，允许通过的大正向平均电流值，其值与PN结面积及外部散热条件等有关。因为电流通过管子时会使管芯发热，温度上升，温度**过容许限度（硅管为141℃左右，锗管为90℃左右）时，就会使管芯过热而损坏。所以在规定散热条件下，二管使用中不要**过二管大整流电流值。 
高反向工作电压
加在二管两端的反向电压高到一定值时，会将管子击穿，失去单向导电能力。为了保证使用安全，规定了高反向工作电压值。

二管是用半导体材料(硅、硒、锗等)制成的一种电子器件 [1]  。它具有单向导电性能， 即给二管阳和阴加上正向电压时，二管导通。 当给阳和阴加上反向电压时，二管截止。 因此，二管的导通和截止，则相当于开关的接通与断开

二管的结构组成
二管就是由一个PN结加上相应的电引线及管壳封装而成的。 
采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结。 
由P区引出的电称为阳，N区引出的电称为阴。因为PN结的单向导电性，二管导通时电流方向是由阳通过管子内部流向阴。
二管的电路符号如图所示。二管有两个电，由P区引出的电是正，又叫阳；由N区引出的电是负，又叫阴。三角箭头方向表示正向电流的方向，二管的文字符号用VD表示。

面接触型二管
面接触型二管的PN结接触面积大，可以通过较大的电流，也能承受较高的反向电压，适宜在整流电路中使用

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