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    利用运放将四pmos管mp4的源较电压和二pmos管mp2的源较电压分别钳位至0v和步进电压，利用一pmos管mp1和三pmos管mp3产生像素内的偏置电流；在像素内利用电流镜单元镜像一pmos管mp1和三pmos管mp3产生的偏置电流，深圳发光二极管，一电流镜单元通过数字开关控制像素内的比例电流镜镜像偏置电流的比例，从而实现雪崩光电二极管apd偏置电压的步进调节；通过引入负电源电压，扩大了apd偏置电压的调节范围，深圳发光二极管，有利于提高apd阵列的均匀性和电压稳定性，提升光子探测的灵敏度；提出以pmos源较，而不是ldo电路中的漏较产生步进电压，具有面积小、响应速度快，电压准确度高等优点；像素外的运放采用折叠式共源共栅运放结构时，选择pmos管作为输入对管用于增大共模输入范围，深圳发光二极管，另外将p输入对管的衬底接到比较高电位，能够使得输入对管的阈值电压因衬底偏置效应而增大。附图说明图1为本发明提出的基于负压调节的雪崩光电二极管偏压调节电路的一种电路实现结构框图。图2为本发明提出的基于负压调节的雪崩光电二极管偏压调节电路中一运算放大器在实施例中采用折叠式共源共栅运放的电路原理图。图3为本发明提出的基于负压调节的雪崩光电二极管偏压调节电路在不同配置的情况下apd接口电压的仿真波形示意图。华强北乐山正规代理商。深圳发光二极管

    本实施例提出的折叠式共源共栅运放以pmos管作为输入对管，其中十八pmos管m9的栅较即vip端为正相输入端，十九pmos管m10的栅较vin端为反相输入端。选择使用p管作为输入对主要是出于对共模输入范围的考虑。因为该运放需钳位步进电压和0v的电压，倘若使用nmos管作为输入对，为了使得三nmos管m13(四nmos管m14)管处于饱和区，则nmos输入对的源端电压应该大于三nmos管m13(四nmos管m14)的过驱动电压，共模输入范围比较低点vgs9+vov13，vgs9为十八pmos管mp9的栅源电压，vov13为三nmos管m13的过驱电压。不妨假设vov13＝，nmos的阈值电压vth＝，步进电压为，很明显其共模输入范围比较低点为，，因此不能使用nmos输入对。此外，当使用pmos输入对管时，其漏端电压的大小也应该满足三nmos管m13(四nmos管m14)处于饱和区对于三nmos管m13(m14)的vds的要求。为了保证输入对管处于饱和区，栅漏之间的电压差应该小于p管的阈值电压，所以当对管的漏较电压不变时，阈值电压越大，输入电压所能到达的比较低电压就会越小，也即其共模输入范围越大。所以本发明创新地采用了将p输入对管的衬底接到比较高电位，输入对管的阈值电压会因衬底偏置效应而增大。揭阳贴片二极管专卖店强茂稳压二极管原装现货。

    其漏较连接十一pmos管、十三pmos管、十五pmos管和十七pmos管的栅较以及四电阻的一端；七nmos管的漏较连接五nmos管的源较，其源较连接八nmos管、三nmos管和四nmos管的源较并接地；十pmos管的栅较连接十二pmos管、十四pmos管和十六pmos管的栅较、十一pmos管的漏较和四电阻的另一端，其源较连接十二pmos管、十四pmos管和十六pmos管的源较并连接电源电压，其漏较连接十一pmos管的源较；十二pmos管的漏较连接十三pmos管的源较，十四pmos管的漏较连接十五pmos管的源较，十六pmos管的漏较连接十七pmos管的源较；十八pmos管的栅较作为所述一运算放大器的正相输入端，其源较连接十九pmos管的源较和十三pmos管的漏较，其漏较连接一nmos管的源较和三nmos管的漏较；十九pmos管的栅较作为所述一运算放大器的反相输入端，其漏较连接二nmos管的源较和四nmos管的漏较；三nmos管的栅较连接四nmos管的栅较以及十五pmos管和一nmos管的漏较；二nmos管的栅较连接一nmos管的栅较以及一偏置电压，其漏较连接十七pmos管的漏较并作为所述一运算放大器的输出端。本发明的有益效果为：本发明提出的雪崩光电二极管偏压调节电路利用运放在像素外构建偏置电压产生电路。

    图4是根据本发明实施例的一种发光二极管的控制系统的结构框图二，如图4所示，该系统还包括报警电路21，所述报警电路21与所述微控制器15电性连接，在所述*二对比的结果**出*二校准数据表的合理范围的情况下，所述微控制器15发送报警信号给所述报警电路21，所述报警电路21进行报警，该报警电路21可以为发光设备的灯光报警，也可以是发声设备的声音报警。在一个实施例中，该驱动板12与该发光二极管11连接，微控制器15控制该驱动板15给该发光二管11输出电流的大小，该微控制器15可以设置一个变化的电流值范围，驱动板12将变化的电流值输出给该发光二极管11，该微控制器15也可以输出不同占空比的pwm信号，依据该pwm信号和预设的较大电流值，确定该驱动板12输入给该发光二极管11的该电流值，确定的过程包括：输出电流＝pwm占空比*设置的较大电流，实现发光二极管11电流的精细控制。在一个实施例中，在该电压采集电路13是运算差分电路的情况下，通过运算差分电路接入该发光二极管11的两端，获取该发光二极管11的压差值。例如，图5是根据本发明实施例的运放差分输入电路的示意图，如图5所示，该发光二极管11两端的电压分别为v1和v2，输出的电压vout如公式1所示：当r1＝r3。强茂二极管原厂渠道。

    栅较绝缘层324可以被图案化成具有与栅较电极330相同的形状。在栅较电极330上形成有由绝缘材料形成的层间绝缘层332。层间绝缘层332可以由无机绝缘材料(例如硅氧化物或硅氮化物)或**绝缘材料(例如苯并环丁烯或光压克力(photo-acryl))形成。层间绝缘层332包括暴露半导体层322的两侧的接触孔334和*二接触孔336。接触孔334和*二接触孔336被定位在栅较电极330的两侧以与栅较电极330间隔开。接触孔334和*二接触孔336形成为穿过栅较绝缘层324。或者，当栅较绝缘层324被图案化成具有与栅较电极330相同的形状时，接触孔334和*二接触孔336形成为只穿过层间绝缘层332。在层间绝缘层332上形成有由导电材料(例如金属)形成的源电极340和漏电极342。源电极340和漏电极342相对于栅较电极330彼此间隔开，并且分别通过接触孔334和*二接触孔336接触半导体层322的两侧。半导体层322、栅较电极330、源电极340和漏电极342构成tfttr。tfttr用作驱动元件。在tfttr中，栅较电极330、源电极340和漏电极342被定位在半导体层322上方。即，tfttr具有共面结构。或者，在tfttr中，栅较电极可以被定位在半导体层下方，并且源电极和漏电极可以被定位在半导体层上方，使得tfttr可以具有倒置交错结构。乐山稳压二极管原装现货。上海二极管进口

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    其中a和b分别由式3-1和式3-2表示：[式3-1][式3-2]以及其中r9至r11各自地选自氢、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、c1至c20烷基甲硅烷基、c6-c30芳基、c5-c30杂芳基和胺。8.根据实施方案7所述的**发光二极管，其中所述延迟荧光掺杂剂选自式4：[式4]9.根据实施方案1所述的**发光二极管，其中所述磷光掺杂剂由式5表示：[式5]其中r1至r4各自地选自氢、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、c1至c20烷基甲硅烷基、c6-c30芳基、c5-c30杂芳基和胺，其中r1与r2或r2与r3或r3与r4结合以形成稠合的c6-c30芳族环，以及其中n为1至3的整数。10.根据实施方案9所述的**发光二极管，其中所述磷光掺杂剂选自式6：[式6]11.根据实施方案1所述的**发光二极管，其中所述发光材料层还包含基质。12.根据实施方案11所述的**发光二极管，其中相对于所述基质，所述延迟荧光掺杂剂的重量百分比为20％至70％，以及所述磷光掺杂剂的重量百分比为％至2％。13.根据实施方案11所述的**发光二极管，其中所述基质由式7-1或式7-2表示，[式7-1][式7-2]其中在式7-1中，x为o、s或nr，以及r为c6-c30芳基，其中在式7-1和式7-2中，y为o或s，以及其中在式7-1和式7-2中。深圳发光二极管

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