澎湃微产品PT32x00x电源控制PWR

3 电源控制(PWR) 
3.1 综述
PWR 列举了芯片内部与电源相关的所有资源，包括内部的电源电压调节器、可编程的电源电压监测器、低功耗模式。 
3.2 特性
 集成的电源调节器，提供 3 路内部电源、均可通过 ADC 内部通道进行访问： 
 BG1v5 1.5V 精度 5% 
 BG1v2 1.2V 精度 5% 
 BG1v0 1.0V 精度 0.5% 
 多挡位、支持复位或中断的可编程电源电压检测器 
 在低功耗模式下，提供两种低功耗模式： 
 睡眠模式 
 深度睡眠模式 
 深度睡眠下、典型功耗仅为 0.8uA
3.3 电源调节器 
PT32x00x 支持在**宽电压范围内工作、工作电压(VDD)详见《PT32x00x 数据手册》。通过内置的电源调节器提供内部所需的 1.5V 电源 BG1v5、1.2V 参考电源 BG1v2 以及 1.0V 参考电源 BG1v0。所有的内部电源均可通过 ADC 内部通道进行访问、详见 ADC(控制寄存器 ADC_CR)的”CHS”位描述。
 

3.3.1 电源调节器 
复位后电源调节器总是使能的。根据系统运行状态、它以 2 种不同的模式工作。 
1.运行模式：调节器以正常功耗模式提供 BG1v5、BG1v2、BG1v0 三路电源；BG1v5 作为核 心电源共给内部 CPU、存储器和数字外设，并且与 BG1v2、BG1v0 一起接入 ADC 的内部模拟通道中.
2.低功耗模式：提供睡眠和深度睡眠两种低功耗模式，电源调节器将递进的关闭片内电源、时钟、外设，以使系统功耗大大降低。
3.3.2 电源复位条件 
PT32x00x 内部有一个完整的上电复位(PUR)和掉电复位(PDR)电路，当 VDD 电压达到工作电压时系统就能正常工作。 当 VDD ***的限位电压 VPUR/VPDR时，系统保持为复位状态。
3.3.3 可编程的电源电压监测器(PVD) 
用户可以利用 PVD 对 VDD 电压进行监测，(电源电压监测器配置寄存器 PWR_PVDR)中的”PLS”位用于设定 PVD 监控 VDD 电压的阈值。通过将(PWR_PVDR 寄存器)中的 PVDE 位置’1’以使能 PVD。
PVD 事件支持用户通过复位和中断两种形式进行访问，其对应的中断事件在内部被连接到 NVIC 的* 20 号中断，如果该中断在系统中断使 
能寄存器 ISER 中被使能，一旦发生该事件、NVIC 就会响应 PVD 的中断请求。PVD 事件的触发/解除机制由硬件自动控制，当 VDD 下降到”PLS 位”所设定的阈值时，PVD 中断被触发，当 VDD 上升到 PVDUV 时，PVD 中断被解除。这一特性可用于用于执行紧急关闭任务。
3.4 低功耗模式 
系统或电源复位以后，系统处于运行模式。当系统*继续运行时，可以利用多种低功耗模式来节省功耗；例如等待某个外部事件时，用户可以根据较低电源消耗、唤醒时间和可用的唤醒源等条件，选定一个较佳的低功耗模式。 
PT32x00x 提供了两种低功耗模式： 
 睡眠状态(Cortex™-M0 内核停止，但包括 Cortex-M0 **的外设在内的所有外设，如 NVIC、SysTick 等仍在运行，IFMC 无法访问) 
 深度睡眠状态(除 LSI 外的所有时钟均已停止工作，相关的片内电源以及外设被强制关闭)。此外，在运行模式下，还可以通过以下方式降低功耗： 
 失能未被使用的时钟源 
 失能未被使用但已被使能的外设。 
 将不使用的 GPIO 做内部下拉处理
3.4.1 进入低功耗模式 
通过将配置系统控制寄存器（SCR）中的 SLP 位置’1’以选定系统进入低功耗模式时、系统处于睡眠状态还是深度睡眠状态。系统进入低功耗模式有两种方法： 
 执行 WFI 或 WFE 指令以进入低功耗模式 
 将系统控制寄存器（SCR）中的 SOE 位置’1’，当系统从**级的中断处理程序中退出时，立即进入低功耗模式 
注意：进入低功耗模式前，应该将所有未使用到的管脚配置为下拉输入，并清除所有管脚的复用功能可使系统功耗得到较大优化。
3.4.2 睡眠状态 
表 3-1 罗列了系统处于睡眠状态时、片内资源的工作状态。如需优化功耗、在进入睡眠状态前，用户可手动关闭*在低功耗模式下工作的外设以降低功耗。 
3.4.3 深度睡眠状态 
表 3-1 罗列了系统处于深度睡眠状态时、片内资源的工作状态。在深度睡眠状态下，只有 LSI 时钟挂载的外设可以正常运行，内核的寄存器、内存的信息仍保存，程序在唤醒后仍从上一次停止处执行；除表 3-1 所罗列的在深度睡眠状态下被强制关闭外设外，其他外设均不会被强制关闭，在运行模式下使能的外设、在进入深度睡眠前应该手动关闭以避免额外功耗；如需进一步的优化功耗，可将 LSI 时钟关闭，但 LSI 时钟挂载外设将无法工作，此时、低功耗 
模式的唤醒仅支持外部中断唤醒。 
注意：GPIO 外部中断唤醒深度睡眠时，仅支持双沿中断、高电平中断和低电平中断。
3.4.4 唤醒方式 
当系统处于低功耗模式时，如果是睡眠状态，根据进入低功耗模式的指令，有相应的唤醒方式： 
 WFI 指令：任意一个被 NVIC 响应的外设中断都能将系统从睡眠模式唤醒。 
 WFE 指令：包括所有中断在内、所有内核支持的事件特别地、当(系统控制寄存器 SCR)的”SWC”位为’1’时：所有中断或事件均可唤醒。 
注意：使用 WFE 唤醒睡眠状态，需要在(中断挂起清除寄存器 ICPR)中清除相应的挂起标志。 
如果是深度睡眠状态，根据进入低功耗模式的方法，有相应的唤醒方式： 
 WFI 指令：LSI 时钟挂载外设的中断或者外部中断 
 WFE 指令：LSI 时钟挂载外设的中断、外部中断、复位事件或调试模式请求事件特别地、当(系统控制寄存器 SCR)的”SWC”位为’1’时：LSI 时钟挂载外设的中断、外部中断、复位事件或者调试模式请求事件均可唤醒。

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