特价库存 Communication CPU D100

今后，伦茨和伦茨人会坚持可持续性发展理念，提高驱动系统的能源利用率，降低环境污染，同时保持稳定的生产力，助力中国智造，为添砖加瓦。
有着优异特性的碳化硅 高温操作
高温操作

用途广泛的各类碳化硅(SiC)功率模块有着优异特性的碳化硅(SiC)
New/Featured Products

特点
SiC-SBD
与已有产品相比，功率损耗约减少21%*
通过减少功率损耗和高频动作，电抗器和散热板等部件能够做到小型化
采用JBS结构，电涌耐量高，有利于实现高度的可靠性
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与本公司配置Si二管的功率率半导体模块DIPPFC?产品相比
内部模块图
内部模块图
功率损耗比较*
功率损耗比较
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与本公司搭载有功率半导体模块DIPPFC?的Si二管产品相比

在温度升高时，电子会向导带转移，漏电流增加，导致无常运行。碳化硅的禁带宽度约为单晶硅的三倍，即使在高温时漏电流的增加也很小，可以确保高温下运行。
碳化硅材料的绝缘击穿电场强度大约比单晶硅高10倍。除此之外，由于主要决定电阻的漂移层的厚度也只有单晶硅的十分之一，所以电阻也大幅降低，从而进一步减少电能损耗。同时，SiC的优越性能也大幅降低了功率器件的导通损耗以及开关损耗。

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