肖特基二管是以其发明人肖特基博士(Schottky)命名的,SBD是肖特基势垒二管(SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD)的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的,而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。因此,SBD也称为金属-半导体(接触)二管或表面势垒二管,它是一种热载流子二管。
肖特基缺陷是由于晶体表面附近的原子热运动到表面,在原来的原子位置留出空位,然后内部邻近的原子再进入这个空位,这样逐步进行而造成的,看来就好像是晶体内部原子跑到晶体表面来了。显然,对于离子晶体,阴阳离子空位总是成对出现;但若是单质,则无这种情况。除了表面外,肖特基缺陷也可在位错或晶界上产生。这种缺陷在晶体内也能运动,也存在着产生和复合的动态平衡。对一定的晶体来说,在确定的温度下,缺陷的浓度也是一定的。空位缺陷的存在可用场离子显微镜直接观察到。
注意事项
肖特基二管的结构及特点使其适合于在低压、大电流输出等场合用作高频整流,在高频率下用于检波和混频,肖特基二管在高速逻辑电路中用作箝位。在IC中也常使用肖特基二管,在高速计算机中也被广泛采用。除了普通PN结二管的特性参数之外,肖特基二管用于检波和混频的电气参数还包括中频阻抗,指的就是肖特基二管施加额定本振功率时对中频所呈现的阻抗。以上就是小编对于肖特基二管具体介绍,希望对大家有所借鉴作用。
肖特基二管的应用:
SBD的结构及特点使其适合于在低压、大电流输出场合用作高频整流,在非常高的频率下(如X波段、C波段、S波段和Ku波段)用于检波和混频,在高速逻辑电路中用作箝位。在IC中也常使用SBD,像SBD?TTL集成电路早已成为TTL电路的主流,在高速计算机中被广泛采用。
除了普通PN结二管的特性参数之外,用于检波和混频的SBD电气参数还包括中频阻抗(指SBD施加额定本振功率时对中频所呈现的阻抗,一般在200Ω~600Ω之间)、电压驻波比(一般≤2)和噪声系数等。
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