单晶硅烘干方案 硅石粉干燥设备

实验室里可用在赤热下还原粉状二氧化硅，用稀酸洗去生成的氧化镁和，再用氢氟酸洗去未作用的二氧化硅，即得单质硅。这种方法制得的都是不够纯净的无定形硅，为棕黑色粉末。工业上生产硅是在电弧炉中还原硅石（SiO2含量大于99%）。使用的还原剂为石油焦和木炭等。使用直流电弧炉时，能全部用石油焦代替木炭。石油焦的灰分低（0.3%～0.8%），采用质量高的硅石（SiO2大于99%），可直接炼出制造硅钢片用的高质量硅。高纯的半导体硅可在1，200℃的热硅棒上用氢气还原高纯的三氯氢硅SiHCl3或SiCl4制得。**纯的单晶硅可通过直拉法或区域熔炼法等制备。 [2]
用镁还原二氧化硅可得无定形硅。用碳在电炉中还原二氧化硅可得晶体硅。电子工业中用的高纯硅则是用氢气还原三氯氢硅或四氯化硅而制得。
硅（闽台、中国香港称矽xī）是一种化学元素，它的化学符号是Si，旧称矽。原子序数14，相对原子质量28.0855，有无定形硅和晶体硅两种同素异形体，属于元素周期表上*三周期，IVA族的类金属元素。硅也是为常见的一种元素，然而它少以单质的形式在自然界出现，而是以复杂的硅酸盐或二氧化硅的形式，广泛存在于岩石、砂砾、尘土之中。硅在宇宙中的储量排在*八位。在地壳中，它是*二丰富的元素，构成地壳总质量的26.4%，仅次于位的氧（49.4%）。
硅的丰度，引起早期化学家的兴趣。矽（硅）在地球表面的含量仅次于氧，占有将近28%.但是矽（硅）元素并非早被发现的元素，那是因为从矽（硅）的氧化物中要将矽还原出来是一件非常困难的事。
硅约占地壳总重量的25.7%，仅次于氧。
在自然界中，硅通常以含氧化合物形式存在，其中简单的是硅和氧的化合物硅石SiO2。石英、水晶等是纯硅石的变体。
多晶硅是一种重要的溅射靶材材料，使用磁控溅射方法制备SiO2等薄膜层，可以使基体材料具备较好的光学、介电及抗蚀性能，被广泛应用到触摸屏、光学等行业中。

铸造长晶工艺，是通过控制铸锭炉热场中的加热器温度、隔热材料的散热量，来实现液态硅从底部开始，逐渐向**部的定向凝固，凝固长晶速度为0.8~1.2cm/h。同时在定向凝固过程中，可以实现金属元素在硅材料中的分凝效应，实现大多数金属元素的提纯，并形成了均匀的多晶硅晶粒组织。

铸造多晶硅在生产过程中还需进行有意掺杂，其目的是改变硅熔体中受主杂质的浓度。行业内P型铸造多晶硅的主要掺杂剂是硅硼母合金，其中硼含量在0.025%左右。掺杂量由硅片的目标电阻率决定，电阻率优值为0.02 ~0.05 Ω•cm，对应硼的浓度约为2×1014cm-3。但是，硼在硅中的分凝系数为0.8，会在定向凝固过程中表现出一定的分凝效应，即硼元素在铸锭竖直方向上呈梯度分布，并导致电阻率由铸锭底部到**部逐渐减小。

作为重要的功能薄膜材料，它们具有良好的硬度，光学，介电性质及耐磨，抗蚀等特性。
介质材料由性分子和非性分子组成，在电磁场作用下，这些性分子从原来的随机分布状态转向按照电场的性排列取向。在高频电磁作用下，这些取向按交变电磁场的变化而变化，这一过程致使分子的运动和相互磨擦从而产生热量。此时交变电磁场的场能转化为介质内的热动能，使介质温度不断升高，这就是微波加热的基本原理。
由此可见微波加热是介质材料自身损耗电场能量而发热，对于导电的金属材料，电波不能透入内部而被反射，金属材料不能吸收微波。介质材料，因其介质电常数εr和介质损耗角正切值tgδ不同，在微波电磁场作用下效果也不一样。

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