硅片微波烘干设备与传统烘干设备相比,具有以下优点:
1 没能耗浪费。微波能直接作用于物料本身,微波不锈钢加热烘干箱体及空气不需要被加热。2、干燥速度快。微波对物料内外同时加热烘干,水分由内向外扩散蒸发。3、无热惯性4、采用洁净能源电能,设备在运行过程中无废弃产生。5、操作简单、易控。设备采用全自动化控制,流水线式作业,机械化程度高。
具有纯度高、导电性优异、晶粒均匀等特点,硅材料尺寸可达1m×1m。
多晶硅是一种重要的溅射靶材材料,使用磁控溅射方法制备SiO2等薄膜层,可以使基体材料具备较好的光学、介电及抗蚀性能,被广泛应用到触摸屏、光学等行业中。本公司采用美国GT-Solar公司的多晶硅铸锭炉的铸造长晶工艺可制备出的硅靶材材料,具有纯度高、导电性优异、晶粒均匀等特点,硅材料尺寸可达1m×1m。
铸造长晶工艺,是通过控制铸锭炉热场中的加热器温度、隔热材料的散热量,来实现液态硅从底部开始,逐渐向**部的定向凝固,凝固长晶速度为0.8~1.2cm/h。同时在定向凝固过程中,可以实现金属元素在硅材料中的分凝效应,实现大多数金属元素的提纯,并形成了均匀的多晶硅晶粒组织。铸造多晶硅在生产过程中还需进行有意掺杂,其目的是改变硅熔体中受主杂质的浓度。行业内P型铸造多晶硅的主要掺杂剂是硅硼母合金,其中硼含量在0.025%左右。
作为重要的功能薄膜材料,它们具有良好的硬度,光学,介电性质及耐磨,抗蚀等特性。
介质材料由性分子和非性分子组成,在电磁场作用下,这些性分子从原来的随机分布状态转向按照电场的性排列取向。在高频电磁作用下,这些取向按交变电磁场的变化而变化,这一过程致使分子的运动和相互磨擦从而产生热量。此时交变电磁场的场能转化为介质内的热动能,使介质温度不断升高,这就是微波加热的基本原理。
由此可见微波加热是介质材料自身损耗电场能量而发热,对于导电的金属材料,电波不能透入内部而被反射,金属材料不能吸收微波。介质材料,因其介质电常数εr和介质损耗角正切值tgδ不同,在微波电磁场作用下效果也不一样。
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