关于可控硅(晶闸管)开路电压变化率DVD/DT
在处于截止状态的双向可控硅(晶闸管)两端加一个小于它的VDFM的高速变化的电压时,内部电容的电流会产生足够的栅电流来使可控硅(晶闸管)导通。这在高温下尤为严重,在这种情况下可以在MT1和MT2间加一个RC缓冲电路来限制VD/DT,或可采用高速可控硅(晶闸管)。
关于转换电流变化率
当负载电流,电源频率的增高或电源为非正弦波时,会使转换电流变化率变高,这种情况易在感性负载的情况下发生,很容易导致器件的损坏。此时可以在负载回路中串联一只几毫亨的空气电感。
关于连续峰值开路电压VDRM
在电源不正常的情况下,可控硅(晶闸管)两端的电压会**过连续峰值开路电压VDRM的大值,此时可控硅(晶闸管)的漏电流并击穿导通。如果负载能允许很大的浪涌电流,那么硅片上局部的电流密度就很高,使这一小部分先导通。导致芯片烧毁或损坏。另外,容性负载或短路保护电路会产生较高的浪涌电流,这时可外加滤波器和钳位电路来防止尖峰(毛刺)电压加到双向可控硅(晶闸管)上 。
可控硅控制较所需触发脉冲的产生:
可控硅触发电路的形式很多,常用的有阻容移相桥触发电路、单结晶体管触发电路、晶体三极管触发电路、利用小可控硅触发大可控硅的触发电路,等等。今天大家制作的可控硅调压器,多采用的是单结晶体管触发电路。
可控硅的主要作用:
1、普通晶闸管基本的用途就是可控整流。以简单的单相半波可控整流电路为例,在正弦交流电压U2的正半周期间,如果VS的控制较没有输入触发脉冲Ug,VS仍然不能导通,只有在U2处于正半周,在控制较外加触发脉冲Ug时,晶闸管被触发导通;
2、通过改变控制较上触发脉冲Ug到来的时间,就可以调节负载上输出电压的平均值UL。在电工技术中,常把交流电的半个周期定为180°,称为电角度。这样,在U2的每个正半周,从零值开始到触发脉冲到来瞬间所经历的电角度称为控制角α;在每个正半周内晶闸管导通的电角度叫导通角θ;
3、α和θ都是用来表示晶闸管在承受正向电压的半个周期的导通或阻断范围的。通过改变控制角α或导通角θ,改变负载上脉冲直流电压的平均值UL,实现了可控整流。
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