三氧化二铋(氧化铋)纯品有α型、β型和δ型。α型为单斜晶系结晶,相对密度8.9,熔点825 ℃,溶于酸,不溶于水和碱。β型为亮至橙色,正方晶系,相对密度8.55,熔点860 ℃,溶于酸,不溶于水。容易被氢气、烃类等还原为金属铋。δ-Bi2O3 是一种的材料,具有立方萤石矿型结构,其晶格中有1/4 的氧离子位置是空缺的,因而具有非常高的氧离子导电性能。 Bi2O3 具有许多特的物理性质:优良的介电性;高的氧流动性;大的能量间隙;高的折射率;显著的光电导性和光致发光性。
氧化铋作为电子陶瓷粉体材料中的重要添加剂,纯度一般要求在99.5%以上。主要应用对象有压敏电阻、陶瓷电容、铁氧体磁性材料三类。在电子陶瓷的开发方面,美国走在世界**。而日本则靠大规模生产和的技术占据了世界陶瓷市场60%的份额。随着纳米级氧化铋的研究开发和均匀化制造技术的创新提高,也将大大推动电子陶瓷相关元器件性能的改善和生产成本的降低。氧化铋在压敏电阻中主要起效应形成剂的作用,是压敏电阻具有高非线性伏安特性的主要贡献者。
氧化铋制备方法:
一、化学沉淀法
化学沉淀法是将金属铋溶解制得铋盐溶液,然后加入沉淀剂和一定量的分散剂或络合剂,经过滤、洗涤、焙烧等来制取Bi2O3 粉体。此法工艺简单,易控制,易操作,易于实现规模化工业生产,而且环境污染小,是目前常用的制备**细Bi2O3粉体的方法之一。
但由于沉淀过程中沉淀产物复杂,成核凝聚过程难于控制,因而产品颗粒的均匀性较差,粒度大小也难以保证。
高纯**细氧化铋应用于制造新型高性能陶瓷和半导体,还可用于颜料、涂料的制备和铋基氧化物**导体的研制和开发。国外已有国家开发出用于半导体和热点装置的高纯氧化铋,该高纯氧化铋的质量要求纯度达到99.999%,粒度分布范围窄(约1μm),主要技术关键是高纯和**细。工艺是湿法提纯、磨碎或高温蒸发、氧化冷凝。
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