苏州徳昇锘电子科技有限公司是一家由一批长期在国内外从事电力电子产品研发和生产,具有多种专项技术的科技组建的国家重点。业务范围涵盖设计、研发、生产和销售新型电力半导体芯片、分立器件及模块,如FRED、VDMOS、IGBT芯片、分立器件、标准模块及用户定制模块( CSPM)。此外还包括节能电力电子装置的模块化设计、制造及系统的解决方案,如动态节能照明电源、开关电源、UPS、逆变及变频装置等。
晶闸管T在工作过程中,它的阳极A和阴极K与电源和负载连接,组成晶闸管的主电路,晶闸管的门极G和阴极K与控制晶闸管的装置连接,组成晶闸管的控制电路。
注意事项:
(1)在检查大功率GTO器件时,建议在R×1档外边串联一节1.5V电池E′,以提高测试电压和测试电流,使GTO可靠地导通。
(2)要准确测量GTO的关断增益βoff,必须有测试设备。但在业余条件下可用上述方法进行估测。由于测试条件不同,测量结果仅供参考,或作为相对比较的依据。
过电流保护
由于半导体器件体积小、热容量小,特别像晶闸管这类高电压大电流的功率器件,结温必须受到严格的控制,否则将遭至彻底损坏。当晶闸管中流过大于额定值的电流时,热量来不及散发,使得结温迅速升高,终将导致结层被烧坏。
产生过电流的原因是多种多样的,例如,变流装置本身晶闸管损坏,触发电路发生故障,控制系统发生故障等,以及交流电源电压过高、过低或缺相,负载过载或短路,相邻设备故障影响等。
晶闸管过电流保护方法常用的是快速熔断器。由于普通熔断器的熔断特性动作太慢,在熔断器尚未熔断之前晶闸管已被烧坏;所以不能用来保护晶闸管。快速熔断器由银制熔丝埋于石英沙内,熔断时间极短,可以用来保护晶闸管。快速熔断器的性能主要有以下几项表征。
阻容吸收回路
通常过电压均具有较高的频率,因此常用电容作为吸收元件,为防止振荡,常加阻尼电阻,构成阻容吸收回路。阻容吸收回路可接在电路的交流侧、直流侧,或并接在晶闸管的阳极和阴极之间。吸收电路选用无感电容,接线应尽量短。
苏州徳昇锘电子科技有限公司是一家集分销、直销及为一体的电力电子半导体销售和电力电子行业解决方案的产业链供应商。销售国内外电力电子半导体器件、变频器、变频器配件、铝电解电容和功率模块,熔断器;主要经销德国Infineon英飞凌、EUPEC优派克、SIEMENS西门子、西门康Semikron,IXYS艾赛斯、IPM、PIM、可控硅、GTO、GTR达林顿、整流桥、二极管、场效应模块......欢迎大家前来咨询!
苏州徳昇锘电子科技有限公司是一家由一批长期在国内外从事电力电子产品研发和生产,具有多种专项技术的科技*组建的国家重点**企业。业务范围涵盖设计、研发、生产和销售新型电力半导体芯片、分立器件及模块,如FRED、VDMOS、IGBT芯片、分立器件、标准模块及用户定制模块( CSPM)。此外还包括高效节能电力电子装置的模块化设计、制造及系统的解决方案,如动态节能照明电源、开关电源、UPS、逆变及变频装置等。 质保体系,公司坚持自主创新,科学管理和持续改进,提供较好的产品和服务,满足并追赶顾客的要求和期望。整个生产过程严格实施IS09001质量管理体系控制。每道工序均经过严格检测,确保产品的质量和稳定性。 企业宗旨是自主创新,设计、研发、生产**的FRED,VDMOS,IGBT分立器件及其模块,打造品牌;成为电力电子器件及系统解决方案的行业*。