苏州徳昇锘电子科技有限公司代理经营**公司生产的电力电子器件,主要括:
Infineon英飞凌、EUPEC欧派克、SANREX三社、IXYS艾赛斯、SEMIKRON西门康、FUJI富士、MISUBISHI三菱、新电元、东芝、IR、西门子、英达、三肯、三洋、APT、ST、美高森美、巴斯曼BUSSMANN、法国罗兰等。
晶闸管的分类:
(一)按关断、导通及控制方式分类
晶闸管按其关断、导通及控制方式可分为普通晶闸管、双向晶闸管、逆导晶闸管、门较关断晶闸管(GTO)、BTG晶闸管、温控晶闸管和光控晶闸管等多种。
(二)按引脚和极性分类
晶闸管按其引脚和极性可分为二较晶闸管、三较晶闸管和四较晶闸管。
(三)按封装形式分类
晶闸管按其封装形式可分为金属封装晶闸管、塑封晶闸管和陶瓷封装晶闸管三种类型。其中,金属封装晶闸管又分为螺栓形、平板形、圆壳形等多种;塑封晶闸管又分为带散热片型和不带散热片型两种。
(四)按电流容量分类
晶闸管按电流容量可分为大功率晶闸管、率晶闸管和小功率晶闸管三种。通常,大功率晶闸管多采用金属壳封装,而中、小功率晶闸管则多采用塑封或陶瓷封装。
(五)按关断速度分类
晶闸管按其关断速度可分为普通晶闸管和高频(快速)晶闸管。
交流电源接通、断开产生的过电压
例如,交流开关的开闭、交流侧熔断器的熔断等引起的过电压,这些过电压由于变压器绕组的分布电容、漏抗造成的谐振回路、电容分压等使过电压数值为正常值的 2至10多倍。一般地,开闭速度越快过电压越高,在空载情况下断开回路将会有较高的过电压。
直流侧产生的过电压
如切断回路的电感较大或者切断时的电流值较大,都会产生比较大的过电压。这种情况常出现于切除负载、正在导通的晶闸管开路或是快速熔断器熔体烧断等原因引起电流突变等场合。
晶闸管T在工作过程中,它的阳极A和阴极K与电源和负载连接,组成晶闸管的主电路,晶闸管的门较G和阴极K与控制晶闸管的装置连接,组成晶闸管的控制电路。
换相冲击电压
包括换相过电压和换相振荡过电压。换相过电压是由于晶闸管的电流降为0时器件内部各结层存载流子复合所产生的,所以又叫载流子积蓄效应引起的过电压。换相过电压之后,出现换相振荡过电压,它是由于电感、电容形成共振产生的振荡电压,其值和换相结束后的反向电压有关。反向电压越高,换相振荡过电压也越大。
针对形成过电压的不同原因,可以采取不同的抑制方法,如减少过电压源,并使过电压幅值衰减;抑制过电压能量上升的速率,延缓已产生能量的消散速度,增加其消散的途径;采用电子线路进行保护等。常用的是在回路中接入吸收能量的元件,使能量得以消散,常称之为吸收回路或缓冲电路。
苏州徳昇锘电子科技有限公司是一家集分销、直销及为一体的电力电子半导体销售和电力电子行业解决方案的产业链供应商。销售国内外电力电子半导体器件、变频器、变频器配件、铝电解电容和功率模块,熔断器;主要经销德国Infineon英飞凌、EUPEC优派克、SIEMENS西门子、西门康Semikron,IXYS艾赛斯、IPM、PIM、可控硅、GTO、GTR达林顿、整流桥、二极管、场效应模块......欢迎大家前来咨询!
苏州徳昇锘电子科技有限公司是一家由一批长期在国内外从事电力电子产品研发和生产,具有多种专项技术的科技*组建的国家重点**企业。业务范围涵盖设计、研发、生产和销售新型电力半导体芯片、分立器件及模块,如FRED、VDMOS、IGBT芯片、分立器件、标准模块及用户定制模块( CSPM)。此外还包括高效节能电力电子装置的模块化设计、制造及系统的解决方案,如动态节能照明电源、开关电源、UPS、逆变及变频装置等。 质保体系,公司坚持自主创新,科学管理和持续改进,提供较好的产品和服务,满足并追赶顾客的要求和期望。整个生产过程严格实施IS09001质量管理体系控制。每道工序均经过严格检测,确保产品的质量和稳定性。 企业宗旨是自主创新,设计、研发、生产**的FRED,VDMOS,IGBT分立器件及其模块,打造品牌;成为电力电子器件及系统解决方案的行业*。