深圳市希罗斯科技有限公司作为**可编程逻辑完整解决方案公司Xilinx的合作伙伴之一,长期致力于Xilinx在的销售与推广。我们拥有一手的产品资源、稳定的供货渠道以及**代理的价格,与广大科研院所、电子工厂保持着长期、友好、稳定的合作关系。“品质至上·信誉”是公司信奉的理念,以客户需求为导向的经营宗旨!期待与国内外客户携手合作, 共谋发展!深圳市希罗斯科技有限公司主要经销:ADI TI XILINX ALTERA IDT MSC QORVO CREE Intersil IR等产品。功能涉及:DSP FBGA A/D转换 D/A转换 MCU DDR MOSFET 微波射频等。产品用途涉及:航空航天 通信 微波 雷达导弹 战舰 航海等重型设备和**&高可靠设备。希罗斯科技专注**IC数十年,只做原装**!
优势产品系列:Artix-7/ Kintex-7/ Spartan-2/ Spartan-3/ Spartan-3A/ Spartan-3E/ Spartan-6/Kintex UltraScale/ Virtex UltraScale/ Virtex-2/ Virtex4/ Virtex-5/ Virtex-6/ Virtex-7/ ZYNQ Ultrascale/ Zynq-700/ *级XQ系列/ 开发板及套件。
XC7VX690T-2FFG1761I 7系列FPGA建立在新的高性能,低功耗(HPL),28 nm高k金属栅较(HKMG)处理技术之上,可无可比拟地以2.9 Tb / b的速度提高系统性能。 I / O带宽,200万个逻辑单元容量和5.3 TMAC / s DSP,同时比上一代设备消耗50%的功率,从而为ASSP和ASIC提供完全可编程的替代方案。
Zynq UltraScale+ RFSoC系列开始发货,该系列是通过一个突破性的架构将RF信号链集成在一个单芯片SoC中,致力于加速5G无线、有线Remote-PHY及其它应用的实现。基于16nm UltraScale+ MPSoC架构的All Programmable RFSoC在单芯片上集成 RF 数据转换器,可将系统功耗和封装尺寸减少高达 50%-70%,而且其软判决前向纠错(SD-FEC)内核可满足5G和DOS 3.1标准要求。随着芯片样片向多家客户发货,Zynq UltraScale+ RFSoC系列早期试用计划现已启动。
用于RF信号链的片上系统
Zynq RFSoC将RF数据转换器、SD-FEC内核以及高性能16nm UltraScale+可编程逻辑和ARM®多处理系统集成在一起打造出了一个全面的模数信号链。射频-数字信号调节与处理通常分派给不同的独立子系统中,但Zynq UltraScale+ RFSoC将模拟、数字和嵌入式软件设计集成到单个单芯片器件上,实现了高度的系统稳健性。
5G无线
Zynq UltraScale+ RFSoC器件能为下一代无线基础架构提供带宽密集型系统。如果没有系统级的突破,5倍带宽、100倍用户数据速率、1000倍网络容量等在内的5G要求均无法实现。Zynq UltraScale+ RFSoC集成了分立式RF数据转换器和信号链优化技术,这样Massive-MIMO的远端射频单元、无线回程和固定无线访问不仅可实现高信道密度,而且还能将功耗和封装尺寸减小50%-75%。在5G基带应用中,多个集成SD-FEC内核相对于软核实现方案而言,可将系统吞吐量提升10-20倍,并可满足严格的功耗和散热要求。
HMC787LC3B是采用RoHS兼容无铅SMT封装的通用双平衡混频器,可用作3至10 GHz之间的上变频器或下变频器。 该混频器采用GaAs MESFET工艺制造,不需要外部组件或匹配电路。 由于优化了巴伦结构,HMC787LC3B提供了出色的LO toRF和LO至IF隔离,并且LO驱动电平为+17 dBm。 陶瓷SMT封装消除了对引线键合的需求,并且与大批量表面贴装制造技术兼容。
中国半导体去美化政策,射频**元件已逐渐选用日系及台系制造商做取代
由于国家通讯基础建设等需求,现行5G基地台设备中的关键零组件之功率放大器(PA),其发展性逐渐受到重视。
进一步探讨目前主要制造厂商状况,可分为IDM厂与制造代工厂。其中,IDM厂分为美系厂商(如Qorvo、MACOM与Wolfspeed等),以及日系厂商(如Sumitomo Electric、Murata等)两大阵营,而制造代工厂则以台系厂家稳懋、环宇及汉磊等为主要。
针对对于厂商使用的半导体商品已提出去美化政策,现阶段射频**元件仍须依赖日系IDM厂及台系制造代工厂,借此摆脱美国提出的限令,并持续投入中国相关基地台之布建,加速5G发展时程。
中国射频**元件商仍处发展阶段,技术尚待持续投入人力及开发资源
依目前发展情形,现阶段基地台设备内使用之功率放大器元件,中国厂商仍处于开发阶段,相较于其他**大厂(IDM厂及制造代工厂),中国厂商的技术能量较为薄弱,相关技术还有很长的路要走。
发展中的中国IDM厂,目前有苏州能讯、英诺赛科与大连芯冠科技等;而制造厂代工厂则有海威华芯和三安集成等,现阶段皆以提供内需之射频**元件等制造需求为主。
就现行中国射频**元件市场情形而言,无论是IDM厂及制造代工厂的制程技术仍属于弱势,主要瞄准中、低市场需求。
假若未来中国厂商于技术开发上持续投入人力及开发资源,将**会逐步赶上**主流功率放大器元件大厂的发展脚步。