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    图示所有的继电器触点均处于非激励状态。图1：这个电路可以通过适当控制簧片继电器开关的时序来测量被测电容器的介电吸收。电阻R1和R2用来限制CUT和C1的充放电电流。它们的额定值应能够承受充电电压E。电阻R3可选。如果在CUT断开时（即CUT=0），继电器S2外壳上的漏电大到足以产生非零读数，则可以把它加上去。采样保持电路用来增加CUT输出脉冲的持续时间，这样就可以较轻松地对它进行检查。但是，由于采样会产生系统误差，因此需要将读数乘以(1+C1/CUT)来对其进行校正，宿迁AAMr 电容器厂。电容器C1应具有低漏电和低吸收，大多数PP、PS或NP0陶瓷电容器都应能符合这一要求。图2中的计数器用来控制开关的时序。也可以使用微控制器来控制时序，但是选择这个电路可避免进行任何编程。图2：采用定时器激励继电器的驱动器，可以控制图1电路中的开关。定时电路由一个振荡器和一个纹波进位二进制计数器（CD4060B）组成，并与两个4023与非门一起为开关提供控制序列（图3）。4023的*三个门未在电路中使用，任何未使用的输入都应连接到逻辑电平。图3：图2电路所产生的时序，宿迁AAMr 电容器厂。Q1/Q2和Q1/Q3这两对晶体管分别用于实现“A+B’”和“A·B’”逻辑电路。这样有助于减少元器件总数，宿迁AAMr 电容器厂。苏州电容器质量哪家好，欢迎来电咨询，无锡市锡容电力电器有限公司。宿迁AAMr 电容器厂

可以看出：·电容器充放电过程电量呈指数变化，越变越慢·电阻不变的情况下，随着电容大小的增加，电容器充放电时间增加，储存的能量也增加。DRAM滤波器相关应用1存储数据动态易失性存储器(DRAM)：利用集成的电容阵列存储数据，电容充满电就是1，放完电就是0。2电源去耦电容的应用，防止发生不可预测的反馈，影响下一级放大器或其它电路正常工作。图丨去耦电路·各种CPU、SOC、ASIC的周围、背面放置了大量的电容以保持供电电压的稳定。·IC工作时，不同时刻需要的工作电流是不一样的，因此也需要大量的去耦电容来保证工作电压的稳定。3耦合隔直设计电路时，有些情况下，只希望传递交流信号，不希望传递直流信号，这时候可以使用串联电容来耦合信号。温州BFM电容器定制湖州电容器质量哪家好，欢迎来电咨询，无锡市锡容电力电器有限公司。

    5）电解电容器及**级电容器都可以储存能量，**级电容储能效果又电解电容要好。陶瓷电容多半会用到LC震荡电路中。8，电容器的选用（1）旁路旁路电容是为本地器件提供能量的储能器件，它能使稳压器的输出均匀化，降低负载需求。就像小型可充电电池一样，旁路电容能够被充电，并向器件进行放电。为尽量减少阻抗，旁路电容要尽量靠近负载器件的供电电源管脚和地管脚。这能够很好的防止输入值过大而导致的地电位抬高和噪声。地电位是地连接处在通过大电流毛刺时的电压降。（2）去耦去耦，又称解耦。从电路来说，总是可以区分为驱动的源和被驱动的负载。如果负载电容比较大，驱动电路要把电容充电、放电，才能完成信号的跳变，在上升沿比较陡峭的时候，电流比较大，这样驱动的电流就会吸收很大的电源电流，由于电路中的电感，电阻（特别是芯片管脚上的电感）会产生反弹，这种电流相对于正常情况来说实际上就是一种噪声，会影响前级的正常工作，这就是所谓的“耦合”。去耦电容就是起到一个“电池”的作用，满足驱动电路电流的变化，避免相互间的耦合干扰，在电路中进一步减小电源与参考地之间的高频干扰阻抗。将旁路电容和去耦电容结合起来将较容易理解。

    作为回路电容器及垫整电容器4.低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用5.容量损耗随温度频率具高稳定性（但是容量比较小）（5）云母电容简介：云母电容是用金属箔或者在云母片上喷涂银层做的电极板，较板和云母一层一层叠合后，再压铸在胶木粉或封固在环氧树脂中制成。云母电容是的高频电容之一，应用于对电容的稳定性和可靠性要求高的场合。特点及应用：1.介质损耗小，绝缘电阻大、温度系数小，适宜用于高频电路。2.精度高，耐热性好。（无极性电容）3.体积小，重量轻、结构牢固、安装方便、性能稳定。可用性能优良于无线电接发设备,精密电子仪器,现代通讯仪器仪表及设备。电容材料与容量关系图（6）*石电容简介：*石电容是多层陶瓷电容器的别称，简称MLCC。是由印好电极（内电极）的陶瓷介质膜片以错位的方式叠合起来，经过一次性高温烧结形成陶瓷芯片，再在芯片的两端封上金属层（外电极），从而形成一个类似*石的结构体。其电解质常有三种形式：温度补偿类NPO电介质、高介电常数类X7R电介质、半导体类Y5V电介质。特点及应用：1.温度特性好，频率特性好。一般电容随着频率的上升,电容量呈现下降的规律，*石电容下降比较少，容量比较稳定。低压电容器质量哪家好，欢迎来电咨询，无锡市锡容电力电器有限公司。

    因此电容器的击穿电压也因此受限。一般电容器的击穿电压从数伏特到1kV。若电压增加，介电质也要加厚，因此相同介电质的的电容，高压电容的体积一般都会比低压的同容值电容要大一些。3）击穿电压受一些因素的影响很大，例如电容器导电部分的几何形状。尖锐的边或是角会增加电场强度，甚至可能会造成局部的击穿电压。当开始崩溃时，崩溃现像会快速的穿过介电质，直到另一较的导电板为止，会留下碳，并且产生短路（或是阻抗较低）的路径。电容崩溃可能是性的，电容从周围的电路抽取电流，并且将其能量消耗掉。不过，有些特别介电质的电容器或是薄的金属电极在崩溃后不会造成短路，其原因是因为在大电流后，金属熔化或是汽化了，因此崩溃后会产生断路，不会影响电容器的其他部分。4）一般的崩溃方式是电场够大，因此可以吸引介电质中的电子，和原子分离，因而传导电路。不过也有可能有另一种情形，像是介电层的杂质，或是介电层晶体结构的瑕疵，会造成类似半导体元件的雪崩击穿。击穿电压也会受到电压、湿度以及温度的影响。（2）等效电路理想电容器只会储存及释放能量，不会消耗能量。不过实际的电容器都有一些杂质，而电容器的材料本身也会有电阻，这些会标示为等效串联电阻。台州电容器质量哪家好，欢迎来电咨询，无锡市锡容电力电器有限公司。盐城AAMRr电容器供货商

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    那么为什么大电容不能滤高频呢，不是电容越大频率越高，阻抗就越小，滤波效果就越好吗？那电源去耦那里直接用一个大容量又便宜的电解电容不就解决了吗？为什么一般的芯片管脚都用两个一大一小的电容甚至有些射频芯片还用4个呢？通过下面的这张不同容值的电容阻抗随频率变化的图就可以看出了，**在延伸阅读那里有提到，实际的电容模型，存在串联电感，因此阻抗不会随着频率升高一直下降，存在一个谐振点，过了谐振点电容器整体呈感性，随着频率升高阻抗变大。电容越大串联电感就越大，谐振频率就越低，导致大容量的电容在高频的时候还没小电容阻抗低，也就是大电容在高频滤波效果不如小电容。4储能电容储能电容一种是用在电源入口出，或者大功率器件旁边，为了减少因为功率器件突然工作产生时，电源响应速度不够，而带来电压波动。还有一种是在开关电源中和电感一起作为储能元件使用。可以把稳压电源想象成为如下的一种情形：当试图从一个直径较大的自来水管中取出连续不断的且较小的水流时，可以采用两种策略：一种是使用一个转接阀门，并将阀门开启在较小位置，这就是线性电源的工作原理（可以将阀门看作晶体管）。线性电源的电压调整晶体管上承受着很大的“压力”。宿迁AAMr 电容器厂

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