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苏州徳昇锘电子科技有限公司是一家由一批长期在国内外从事电力电子产品研发和生产，具有多种专项技术的科技*组建的国家重点**企业。业务范围涵盖设计、研发、生产和销售新型电力半导体芯片、分立器件及模块，如FRED、VDMOS、IGBT芯片、分立器件、标准模块及用户定制模块( CSPM)。此外还包括高效节能电力电子装置的模块化设计、制造及系统的解决方案，如动态节能照明电源、开关电源、UPS、逆变及变频装置等。
一般保存IGBT模块的场所，应保持常温常湿状态，不应偏离太大。常温的规定为5～35℃ ，常湿的规定在45～75%左右。在冬天特别干燥的地区，需用加湿机加湿; 尽量远离有腐蚀性气体或灰尘较多的场合； 在温度发生急剧变化的场所IGBT模块表面可能有结露水的现象，因此IGBT模块应放在温度变化较小的地方； 保管时，须注意不要在IGBT模块上堆放重物； 装IGBT模块的容器，应选用不带静电的容器。

整流桥堆一般用在全波整流电路中，它又分为全桥与半桥。全桥是由4只整流二极管按桥式全波整流电路的形式连接并封装为一体构成的。选择整流桥要考虑整流电路和工作电压。整流桥堆一般用在全波整流电路中，它又分为全桥与半桥。

半桥是将两个二极管桥式整流的一半封在一起,用两个半桥可组成一个桥式整流电路,一个半桥也可以组成变压器带中心抽头的全波整流电路,选择整流桥要考虑整流电路和工作电压。整流桥堆一般用在全波整流电路中，它又分为全桥与半桥。全桥是由4只整流二极管按桥式全波整流电路的形式连接并封装为一体构成的。

由于IGBT模块为MOSFET结构，IGBT的栅较通过一层氧化膜与**较实现电隔离。由于此氧化膜很薄，其击穿电压一般达到20～30V。因此因静电而导致栅较击穿是IGBT失效的常见原因之一。
苏州徳昇锘电子科技有限公司是一家集分销、直销及为一体的电力电子半导体销售和电力电子行业解决方案的产业链供应商。销售国内外**品牌电力电子半导体器件、变频器、变频器配件、铝电解电容和功率模块，熔断器；主要经销德国Infineon英飞凌、EUPEC优派克、SIEMENS西门子、西门康Semikron，IXYS艾赛斯、IPM、PIM、可控硅、GTO、GTR达林顿、整流桥、二极管、场效应模块......欢迎大家前来咨询！

苏州徳昇锘电子科技有限公司是一家由一批长期在国内外从事电力电子产品研发和生产，具有多种专项技术的科技*组建的国家重点**企业。业务范围涵盖设计、研发、生产和销售新型电力半导体芯片、分立器件及模块，如FRED、VDMOS、IGBT芯片、分立器件、标准模块及用户定制模块( CSPM)。此外还包括高效节能电力电子装置的模块化设计、制造及系统的解决方案，如动态节能照明电源、开关电源、UPS、逆变及变频装置等。 质保体系，公司坚持自主创新，科学管理和持续改进，提供较好的产品和服务，满足并追赶顾客的要求和期望。整个生产过程严格实施IS09001质量管理体系控制。每道工序均经过严格检测，确保产品的质量和稳定性。 企业宗旨是自主创新，设计、研发、生产**的FRED,VDMOS，IGBT分立器件及其模块，打造品牌;成为电力电子器件及系统解决方案的行业*。