12WSDH8594AS手机充电器电源ic

SDH8594AS线损补偿：在实际的应用设计中,输岀电压在电缆线上会有不同程度的压降ⅤAB。在不同的电流情况下,输岀端的整流二极管压降VD也会发生改变,需要综合考虑，SDH8594AS通过内部一个电流源来产生带有失调的反馈电压VFB。内部电流源的大小与输出电流大小成比例关系。当负载电流从满载到空载的时候，ⅤFB的失调电压増加,增加量可以通过反馈电阻R1和R2调节。

骊微电子主要从事家电电源，充电器，电源适配器，LED电源等电源产品芯片IC设计，测试，销售，产品主要覆盖5-100W以内各类电源产品，为客户提供高效能、低功耗、品质稳定的集成电路产品，同时提供一站式的应用解决方案和现场技术支持服务，使客户的系统性能优异、灵活可靠，并具有成本竞争力。

SDH8594AS各种保护措施：芯片内部集成多个保护功能,包括过温保护、FB过压保护、VcC过压保护、输岀短路保护、限流保护、大导通时间保护等功能,全部都是芯片自动恢复(除了限流保护),即检测到异常状态后,芯片关断输出,VCC电压开始下降到欠压点,关断内部全部模块,通过耗尽型MOS对∨CC端电容进行充电,重复一个芯片启动的过程。

SDH8594AS CV控制方式：当MOS管关断,反馈电压为正,在FB为正的2/3~1/2时间点进行采样,采样得到的电压经过与恒压阈值Vc的比较、放大,产生恒压环路的关断时间ToF,从而实现输出的恒压。在轻载或者中载的时候,恒压环路产生不同的峰值电流。

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