非隔离PN8044双路输出电源芯片

骊微电子提供的PN8044/46集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。PN8044/46内置650V高压启动模块，实现系统快速启动、超低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN8044/46的降频调制技术有助于改善EMI特性。

1. 高压启动：在启动阶段，PN8044/46内部高压启动管提供2mA电流对外部VDD电容进行充电；当VDD电压达到VDDON，芯片开始工作，高压启动管停止对VDD电容充电。启动过程结束后，输出通过隔离二极管对VDD电容提供能量，供芯片继续工作。

2. 恒压工作模式：PN8044/46芯片通过VDD管脚对输出进行电压采样，VDD电压经过内部分压电阻分压得到采样电压VRF。当VRF低于内部基准电压VREF，芯片开启集成的高压功率管，对储能电感充电，当电感电流达到内部基准电流IPEAK，芯片关闭集成的高压功率管，由系统二极管对储能电感续流。

3. PFM 调制：PN8044/46芯片工作在PFM模式，同时内部设置IPEAK随芯片工作频率FSW降低而降低，芯片开关周期每增大1us，Ipeak降低约10mA。由于芯片内置采样，大Ipeak固定，当输出电压和输出电流固定时，电感感量是唯一调制工作频率的参数。建议电感量为0.5mH (EE-13), 如果感量过小，系统带载能力会偏小，如果感量过大，容易造成电感饱和，影响可靠性。

4. 软启动：为了避免非隔离系统启动阶段因进入深度CCM模式，带来较大电流尖峰，骊微电子代理的PN8044/46设置软启动功能，通过限制Toffmin降低启动阶段的开关频率。同时芯片设计较小的LEB时间（300ns）,以降低LEB时间内能量大小，避免系统启动时的高电流尖峰。

5. 智能保护功能：PN8044/46集成全面的保护功能，包括：过温保护、VDD欠压保护功能，并且这些保护具有自恢复模式。过温保护------当芯片结温超过150℃，芯片进入过温保护状态，输出关闭，当芯片结温低于120度，芯片重新启动。VDD欠压保护------当芯片VDD电压低于VDDoff，芯片重新启动。芯片异常自恢复的时间通过VDD电容调整，VDD电容越大，自恢复时间越长。

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高压启动：在启动阶段，PN8044/46内部高压启动管提供2mA电流对外部VDD电容进行充电；当VDD电压达到VDDON，芯片开始工作，高压启动管停止对VDD电容充电。启动过程结束后，输出通过隔离二极管对VDD电容提供能量，供芯片继续工作。

骊微电子专注于各类芯片开发设计8年余，低功耗高效率的开关电源方案获得广大客户认可，并成功的在市场投入使用，骊微电子本着低价格、高效率，低功率，高效应的宗旨，向市场推送更完美的电源芯片，同时，我们将为您提供高效、方便、理想的服务，骊微电子团队将为您提供合理的建议。

恒压工作模式：PN8044/46芯片通过VDD管脚对输出进行电压采样，VDD电压经过内部分压电阻分压得到采样电压VRF。当VRF低于内部基准电压VREF，芯片开启集成的高压功率管，对储能电感充电，当电感电流达到内部基准电流IPEAK，芯片关闭集成的高压功率管，由系统二极管对储能电感续流。

 深圳市骊微电子科技有限公司是一家专业从事半导体分立器件及集成电路的开发、生产与销售的半导体公司。公司自成立以来，一直本着提供专业及诚垦的态度为已任，以技术 服务为依托，市场需求为导向。经过多年的努力与发展，现阶段公司的销售网络不仅覆盖全国各地，而且涉足海外市场，得到了国内外诸多大型客户的信赖与支持，产品被广泛用于：家电、电源、通讯、数码、玩具、灯饰、汽车电子、广播视听类等相关领域。 我们一贯坚持"品质，价格合理，交货快捷，顾客至上"的发展理念和宗旨，为**市场提供较具创意品质可靠的电子产品，骊微人秉持"诚信，互利"的原则，促进与客户的长久合作关系．并与国内多家**半导体厂商合作，精工制造产品，服务市场。 公司****观 客户 始终把客户放在位，关注客户需求。真正了解客户的产品需求，从而让客户的产品在行业中较具技术优势与竟争力，帮助客户获得成。 成长与分享 当前的外部环境为公司的成长提供了绝好的机会，公司的成长是客户、员工、股东共同的利益所在，公司**的成长应该为客户、股东、员工充分分享： 股东实现**成长，分享企业的社会责任； 员工实现理想抱负，分享企业**的成长； 客户获得优质服务，分享开放的资源平台。 持之以恒 “持之以恒、生生不息”是骊微的**精神，也是骊微有别于其他企业的特点所在。 以远大的胸怀，设立长期目标，持续不懈地努力工作，一定能够获得后的成。