AO3401 P沟道 MOS/场效应管 -30V/-4A AOS美国万代系列

FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	4A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	2.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	50 毫欧 @ 4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	1.3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	14nC @ 10V
Vgs（最大值）	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	645pF @ 15V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	1.4W（Ta）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	SOT-23-3
封装/外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
AOS全称是Alpha and Omega Semiconductor，在 习惯被叫做万代半导体，AOS是一家成立于2000年的年轻美国半导体公司，但却以其优秀的功率半导体技术而闻名，AOS是一家集设计、开发和生产分立元件及模拟电源管理芯片于一体的、处于优秀地位的半导体公司，AOS公司主要提供功率MOSFET，电源IC和瞬态电压抑制器TVS，以满足当今先进的电子系统和消费类电子对于电源的复杂的要求。
AOS公司致力于通过强硬的质量和优异的供货服务， AOS公司一直努力通过整合其在器件物理、工艺、设计和先进封装方面的专业知识进行产品性能和成本优化，确立其在行业中的差异化优势，其产品组合的设计满足了在大容量应用领域日益增长的功率效率要求，包括便携式计算机、平板电视、电池组、便携式媒体播放器和电源。

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