AO4486 N沟道 MOS/场效应管 100V/4.2A AOS美国万代系列

FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	100V
25°C 时电流 - 连续漏较 (Id)	4.2A（Ta）
驱动电压（较大 Rds On，较小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（较大值）	79 毫欧 @ 3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（较大值）	2.7V @ 250µA
不同 Vgs 时栅较电荷 (Qg)（较大值）	20nC @ 10V
Vgs（较大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（较大值）	942pF @ 50V
FET 功能	-
功率耗散（较大值）	3.1W（Ta）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	8-SOIC
封装/外壳	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
深圳市九亨电子有限公司 自成立以来，本着诚信原则，以顾客至上，互利互惠的经营理念，立足深圳，面向**市场，赢得广大客户一致的信赖和**。公司主要代理AOS美国万代，主要提供功率MOSFET，电源IC和瞬态电压抑制器TVS，以满足当今**的电子系统和消费类电子对于电源的复杂的要求。我们相信，一个成熟的现代企业拥有的不仅仅是高质的产品，还应该有*的服务，公司以科学现代的管理，充分利用高科技术的发展，将“顾客至上，互利互惠“的理念贯穿于产品销售、服务的始终。欢迎广大客户来电咨询！

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