科研实验**二氧化硅靶材SiO2一氧化硅靶材SiO磁控溅射靶材电子束镀膜蒸发料 产品介绍 二氧化硅(SiO2)常温下为固体,不溶于水,是酸性氧化物,不跟一般酸反应,。自然界中存在有结晶二氧化硅和无定形二氧化硅两种。结晶二氧化硅因晶体结构不同,分为石英、鳞石英和方石英三种。二氧化硅是制造玻璃、石英玻璃、水玻璃、光导纤维、电子工业的重要部件、光学仪器、工艺品和耐火材料的原料,是科学研究的重要材料。 产品参数 中文名 二氧化硅 化学式 SiO2 熔点 1650±50℃ 分子量 60.084 密度2.2 g/cm3 沸 点 2230℃ 纯度 ** 产品介绍 一氧化硅(SiO)常温常压下为黑棕色至黄土色无定形粉末,熔点:1702°C,沸点:1880°C,密度2.13g/cm³,一氧化硅不太稳定,在空气中会氧化成二氧化硅膜而钝化,仅在**1200℃才稳定;在氧气中燃烧,和水反应生成氢气。一氧化硅微粉末因较富有活性,可作为精细陶瓷合成原料,如氮化硅、碳化硅精细陶瓷粉末原料;用作光学玻璃和半导体材料的制备;在真空中将其蒸发,涂在光学仪器用的金属反射镜面上,作为保护膜;半导体材料的制备。 产品参数 中文名 一氧化硅 化学式 SiO 分子量 44.08 熔点 1702℃ 沸点 1880℃ 密 度 2.13g/cm3 纯度 ** 支持合金靶材定制,请提供靶材产品的元素、比例(重量比或原子比)、规格,我们会尽快为您报价!! 服务项目:靶材成份比例、规格、纯度均可按需定制。科研单位货到付款,质量保证,售后**! 产品附件:发货时产品附带装箱单/质检单/产品为真空包装 适用仪器:多种型号磁控溅射、热蒸发、电子束蒸发设备 质量控制:严格控制生产工艺,采用辉光放电质谱法GDMS或ICP光谱法等多种检测手段,分析杂质元素含量保证材料的高纯度与细小晶粒度;可提供质检报告。 加工流程:熔炼→提纯→锻造→机加工→检测→包装出库