上海ERA-4+微波射频 射频半导体 质量保证 型号齐全

Wolfspeed的cghv1j006d是一种高压氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（Hemt），采用0.25μm的栅较长度制造工艺。这款GaN-on-SiC产品具有**的高频、高效功能。它非常适合在40伏高击穿电压下从10兆赫到18千兆赫的各种应用。

Wolfspeed的CG2H30070F是一种氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（Hemt）。它有一个输入匹配，可以在0.5-3.0GHz范围内提供*佳的瞬时宽带性能。与硅或砷化镓相比，氮化镓具有较高的击穿电压、较高的饱和电子漂移速度和较高的热导率。与硅和砷化镓晶体管相比，氮化镓Hemt还提供较大的功率密度和较宽的带宽。该装置采用2铅金属/陶瓷法兰封装，以获得*佳的电气和热性能。
射频**作为手机通信的**组件，直接影响着手机的信号收发。对早期5G智能手机而言，射频**是推动5G手机价格上涨的主要原因之一，并且由着5G手机频段的增加，射频**的复杂度也大大提高。尽管射频**集成化是大势所趋，但由于低端手机的庞大出货量，低集成度模组之间互相搭配的解决方案在短期内仍然会继续存在。
多天线收发（MIMO）和载波聚合（CA）技术在5G时代继续延续，使得射频**的复杂度大大上升。通过对三星Galaxy S10+ 5G（Sub 6G）和4G版的拆机对比，射频****从4G版的31美金上升到46美金，价格上升幅度接近50%，射频**BOM占比从4G版本的7%提高到了9%。对早期5G智能手机而言，射频**是推动5G手机价格上涨的主要原因之一。
5G射频**芯片集成度进一步提高，国**频产业快速发展：射频**从过去的分立器件、FEMiD，再到PAMiD，集成度逐渐提高，主要原因是受到基带芯片发展的推动。目前射频**市场主要由Skyworks、Broadcom、Qorvo、Murata四大IDM厂商垄断。我们认为，高集成度、一体化是射频**产品的**竞争力，拥有全线技术工艺能力的供应商会占据大部分市场。尽管射频**集成化是大势所趋，但由于低端手机的庞大出货量，低集成度模组之间互相搭配的解决方案在短期内仍然会继续存在。
MIMO技术在5G的延续使得天线数量进一步提升，LDS与FPC仍会是Sub 6G手机的主流天线方案；而在毫米波频段，天线尺寸做到较小，从而直接封装到射频**芯片当中（Aip）。Aip封装是手机射频领域的一次革新，对传统天线厂商来说可能意味着**链的重新分配。
2019年国内运营商5G资本投入预算为400亿元，追赶年初预计的300亿元。5G投入提速利好整个智能手机产业链。高通、海思和三星的基带芯片均已出货。2019Q3随着各品牌5G手机的上市，市场有望迎来新一轮换机潮。我们预计2020年5G手机出货量有望**过2亿部，其中预计苹果7000万台、华为、三星各5000万台，小米、OV等品牌合计3000万台。
投资建议：5G时代射频**变革*大，受益首当其冲。从**范围来看，我们认为4G时代的四成员Skyworks、Qorvo、Murata和Avago（Broadcom）*先受益，有望继续保持**。同时重点关注切入射频**的基带芯片厂商：高通、海思（未上市）、MTK、紫光展锐（未上市）。国内来看，推荐射频开关、LNA**卓胜微，手机天线供应商信维通信、硕贝德、立讯精密；以及滤波器、电感**麦捷科技。
风险提示：1）5G大规模商用和消费电子起量不及预期；2）射频**市场**和技术壁垒较高，未来在5G射频**集成度进一步提升的情况下国内厂商面临市场份额丢失的风险。3）中美、日韩贸易摩擦影响消费电子供给；4）宏观经济下行压力短期难以消除，消费电子需求不及预期。
CREE的CMPA525025F是一种氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（Hemt），专门为高效率、高增益和宽带宽能力而设计，使CMPA525025F非常适合5.2-5.9GHz雷达放大器应用。晶体管采用陶瓷/金属法兰封装。

Qorvo的TGA2595是一款平衡Ka波段功率放大器，采用Qorvo的0.15um GaN on SiC工艺制造。 平衡配置支持低回波损耗，并提高了对非理想负载的鲁棒性。工作频率范围为27.5至31 GHz，饱和输出功率为9 W，功率附加效率为22％，信号增益为30 dB。 除了出色的线性特性外，TGA2595还非常适合支持商业和*相关的卫星通信。

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