MRF151A 微波射频代理 射频放大器

CREE的CMPA525025F是一种氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（Hemt），专门为高效率、高增益和宽带宽能力而设计，使CMPA525025F非常适合5.2-5.9GHz雷达放大器应用。晶体管采用陶瓷/金属法兰封装。
Wolfspeed的CG2H30070F是一种氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（Hemt）。它有一个输入匹配，可以在0.5-3.0GHz范围内提供*佳的瞬时宽带性能。与硅或砷化镓相比，氮化镓具有较高的击穿电压、较高的饱和电子漂移速度和较高的热导率。与硅和砷化镓晶体管相比，氮化镓Hemt还提供较大的功率密度和较宽的带宽。该装置采用2铅金属/陶瓷法兰封装，以获得*佳的电气和热性能。
Wolfspeed的cghv1j006d是一种高压氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（Hemt），采用0.25μm的栅较长度制造工艺。这款GaN-on-SiC产品具有**的高频、高效功能。它非常适合在40伏高击穿电压下从10兆赫到18千兆赫的各种应用。
Qorvo的QPA1022是一款基于GaN的SiC宽带功率放大器，工作频率为8.5至11GHz。它提供**过4瓦的饱和输出功率，24.5分贝的功率增益和**过10分贝的回波损耗。该放大器需要22伏电源，与射频输出和直流接地输入端口的集成直流阻断电容器匹配为50欧姆。该放大器采用4 x 4 x 0.85 mm QFN封装，适用于相控阵雷达和电子战应用。它也是支持测试仪器和商业通信系统的理想组件。
Qorvo的TGA2239-CP是一款3级，50W功率放大器，工作频率范围为13.4至15.5GHz。 该高性能放大器采用Qorvo生产的0.15um GaN on SiC技术制造，提供> 30dB的小信号增益和> 31％的PAE，使系统设计人员能够以经济高效的方式实现**的性能水平。
TGA4508主要特点
?典型频率范围：30 - 42 GHz
?21 dB标称增益
?2.8 dB标称噪声系数
?14 dBm标称P1dB @ 38 GHz
?偏置3 V，40 mA
?0.15um 3MI pHEMT技术
?芯片尺寸1.7 x 0.8 x 0.1 mm
（0.067 x 0.031 x 0.004）in
主要应用
?点对点无线电
?点对多点无线电
?Ka Band VSAT
CMPA601C025F Gan Hemt MMIC放大器提供从6到12GHz的瞬时带宽的25瓦功率。氮化镓HEMT MMIC封装在热增强的10铅陶瓷封装中。这提供了一个高功率6至12千兆赫，高效率放大器在一个小封装在50欧姆。
Wolfspeed的CGHV96050F1是一种在碳化硅（SiC）基板上的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）。与其他技术相比，这种氮化镓内部匹配（IM）场效应晶体管具有**的功率附加效率。与硅或砷化镓相比，氮化镓具有较高的击穿电压、较高的饱和电子漂移速度和较高的热导率。与砷化镓晶体管相比，氮化镓HEMTs还提供较大的功率密度和较宽的带宽。该im-fet采用金属/陶瓷法兰封装，以获得*佳的电气和热性能。

-/gbadfbe/-