PN8308模拟开关芯片 芯朋微代理

PN8308H适用于输出电压9-15V的电源，内置80V智能功率MOSFET，具有如下特点：
易搭配原边主控芯片： ns级速度关断SR， 支持150kHz工作频率，支持CCM/DCM/QR工作模式；
EMC性能**：*特电流跟踪技术显着降低dV/dt，EMC特性**肖特基；
可实现零外围工作：Low side架构，单边SW贴片封装，方便PCB Layout；
全面的智能保护功能：UVLO、防误开启、防误关断功能。

随着DoE 六级能效及CoC V5 Tier 2的实施，同步整流取代肖特基已成为大势所趋，PN8308内置mos开关电源同步整流芯片因外围精简、EMC性能**、支持任意工作模式、贴片封装并*散热片，实现电源小型化，并降低系统成本，被广泛应用于12V2A-12V3A六级能效适配器。


PN8308H同步整流芯片包括同步整流控制器及N型功率MOSFET，内置电压降较低的功率MOSFET，以提高电流输出能力，提升转换效率，使得系统效率可以满足6级能效的标准，常用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管。
PN8308H采用通态电阻较低的**功率MOSFET，来取代整流二极管以降低整流损耗的，从而提高转换效率，可以提高整个AC-DC的整体效率并且不存在由肖特基势垒电压而造成的死区电压，降低电源本身发热。
PN8308H同步整芯片包括同步整流控制器及N型功率MOSFET，用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管。
PN8308H适用于输出电压9-15V的电源，内置80V智能功率MOSFET。
PN8308H包括同步整流控制器及N型功率MOSFET，用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管。 PN8308H内置电压降较低的功率MOSFET以提高电流输出能力，提升转换效率，使得系统效率可以满足6级能效的标准， 并留有足够的裕量。PN8308H集成了较为全面的辅助功能，包含输出欠压保护、较小导通时间等功能。

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