在CV模式下,大部分PSR芯片直接取样辅助线圈上电压,由于漏感的原因,在MOSFET管关断后,也就是次级二极管DR导通瞬间,会产生一个尖峰,影响电压采样,为了避开个这个尖峰,大部分芯片采用延时采样方式,也就是在MOSFET管关断一段时间后再来采样线圈上的电压,从而避开漏感尖峰。
尽管不同类型的PSR电路有所不同,但其工作原理却大致相同,只是有些参数定义不一样,下面骊微电子以SD8583S为例进行介绍。
SD8583S产品特点:
内置高压MOS管功率开关
原边控制模式
低启动电流
*消隐
逐周期限流
PFM调制
降峰值模式
过压保护
欠压锁定
环路开路保护
较大导通时间保护
过温保护
线损电压补偿
峰值电流补偿
SD8583S是内置高压MOS管功率开关的原边控制开关电源(PSR),采用PFM调制技术,提供精确的恒压/恒流(CV/CC)控制环路,具有非常高的稳定性和平均效率。
士兰微充电器电源产品方案 SD8583S 完整的工作周期分为峰值电流检测和反馈电压检测:当MOS管导通,通过采样电阻检测原级线圈的电流,此时FB端电压为负,输出电容对负载供电,输出电压Vo下降;当原级线圈的电流到达峰值时,MoS管关断,FB端电压检测开始。存储在次级线圈的能量对输出电容充电,输出电压上升,并对负载供电。当同时满足恒压、恒流环路控制的开启条件后,MoS管才开启。随之,芯片再次进入峰值电流检测。
SD8583S广泛应用于:
充电器
适配器
待机电源
骊微电子代理的SD8583S是离线式开关电源集成电路,内置线损补偿和峰值电流补偿的**开关电源控制器。通过检测变压器原 级线圈的峰值电流和辅助线圈的反馈电压,控制系统的输出电压和电流,达到输出恒压或者恒流的目的。
骊微电子代理的sd8583s适用8~10w输出功率,内置线损补偿功能和峰值电流补偿功能,*光耦,可省去次级反馈控制、环路补偿,精简电路、降低系统成本,为客户提供高效能、低功耗、品质稳定的电源方案,同时骊微电子提供一站式的应用解决方案和现场技术支持服务。
采用SD8583S设计系统,*光耦,可省去次级反馈控制、环路补偿,精简电路、降低系统成本。
SD8583S适用8-10W输出功率。内置线损补偿功能和峰值电流补偿功能。
SD8583S内置高压MoS管的原边控制开关电源产品描述:
骊微电子代理的SD8583S是内置高压MOS管功率开关的原边控制开关电源(PSR),采用PFM调制技术,提供精确的恒压/恒流(CV/CC)控制环路,具有非常高的稳定性和平均效率,同时SD8583S采用设计系统,*光耦,可省去次级反馈控制、环路补偿,精简电路、降低系统成本,SD8583S适用8~10W输出功率,内置线损补偿功能和峰值电流补偿功能。
深圳市骊微电子科技有限公司是一家专业从事半导体分立器件及集成电路的开发、生产与销售的半导体公司。公司自成立以来,一直本着提供专业及诚垦的态度为已任,以技术 服务为依托,市场需求为导向。经过多年的努力与发展,现阶段公司的销售网络不仅覆盖全国各地,而且涉足海外市场,得到了国内外诸多大型客户的信赖与支持,产品被广泛用于:家电、电源、通讯、数码、玩具、灯饰、汽车电子、广播视听类等相关领域。 我们一贯坚持"品质,价格合理,交货快捷,顾客至上"的发展理念和宗旨,为**市场提供较具创意品质可靠的电子产品,骊微人秉持"诚信,互利"的原则,促进与客户的长久合作关系.并与国内多家**半导体厂商合作,精工制造产品,服务市场。 公司****观 客户 始终把客户放在位,关注客户需求。真正了解客户的产品需求,从而让客户的产品在行业中较具技术优势与竟争力,帮助客户获得成。 成长与分享 当前的外部环境为公司的成长提供了绝好的机会,公司的成长是客户、员工、股东共同的利益所在,公司**的成长应该为客户、股东、员工充分分享: 股东实现**成长,分享企业的社会责任; 员工实现理想抱负,分享企业**的成长; 客户获得优质服务,分享开放的资源平台。 持之以恒 “持之以恒、生生不息”是骊微的**精神,也是骊微有别于其他企业的特点所在。 以远大的胸怀,设立长期目标,持续不懈地努力工作,一定能够获得后的成。