工厂现货热销锂电池保护板**低压MOS管AO3400 SOT-23（场效应管）

MOSFET/场效应管 AO3400
产品型号：AO3400
产品封装：SOT-23
产品品牌：HC/浩畅
是否环保：无铅环保
较小包装：3000PCS
N沟道增强型功率MOSFET
漏较-源较电压（VDS）:30V
漏较电流（ID）:5.8A
漏源电流脉冲IDM:30A
栅源电压（VGS）: ±12V
结温（TJ）:150℃
储存温度（TSTG）:-55~150℃
耗散功率（PD）:1.4W
栅源较开启电压VGS(th):0.7 ~ 1.4V
栅源截至电流IGSS(F/R): ±100nA

场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单较型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（10^8～10^9Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双较型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
场效应管属于电压控制元件，这一特点类似于电子管，但它的构造与工作原理和电子管是截然不同的，与双较型晶体管相比，场效应管具有如下特点。
特点
（1）场效应管是电压控制器件，它通过VGS(栅源电压)来控制ID（漏较电流）；
（2）场效应管的输入端电流较小，因此它的输入电阻很大。
（3）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好；
（4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数；
（5）场效应管的抗辐射能力强；
（6）由于不存在杂乱运动的少子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。

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