• 重庆晶闸管 KPC 3900-36

    重庆晶闸管 KPC 3900-36

  • 2025-02-28 06:53 2
  • 产品价格:面议
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    产品描述
    晶体管的主要参数:
    1、反向阻断峰值电压:在额定结温和控制开路的条件下,允许重复加在阳—阴间的大反向阻断电压;
    2、正向阻断峰值电压:在额定结温和控制开路及晶闸管正向阻断的条件下,重复加在阳—阴间的大正向阻断电压;
    3、正向平均电流:在规定环境温度及散热条件下,允许连续通过工频正弦半波电流的平均值;
    4、通态平均电压: 晶闸管导通时管压降的平均值,一般在0.4~1.2V;
    5、维持电流:在室温和控制开路时,元件能维持导通状态所需的小阳电流;
    6、控制触发电压和触发电流:在温室下,阳—阴间加规定的正向直流电压,使晶闸管导通所需的小控制电压和电流。
    晶闸管的工作条件
    由于晶闸管只有导通和关断两种工作状态,所以它具有开关特性,这种特性需要一定的条件才能转化:
    (1)晶闸管承受反向阳极电压时,无论门较承受何种电压,晶闸管都处于关断状态。
    (2)晶闸管承受正向阳极电压时,仅在门较承受正向电压的情况下晶闸管才导通。
    (3)晶闸管在导通情况下,只要有一定的正向阳极电压,无论门较电压如何,晶闸管保持导通,即晶闸管导通后,门较失去作用。
    (4)晶闸管在导通情况下,当主回路电压(或电流)减小到接近于零时,晶闸管关断。
    重庆晶闸管
    晶闸管的发展历史及制约因素
    半导体的出现成为20世纪现代物理学其中一项重大的突破,标志着电子技术的诞生。而由于不同领域的实际需要,促使半导体器件自此分别向两个分支快速发展,其中一个分支即是以集成电路为代表的微电子器件,特点为小功率、集成化,作为信息的检出、传送和处理的工具;而另一类就是电力电子器件,特点为大功率、快速化。1955年,美国通用电气公司研发了世界上个以硅单晶为半导体整流材料的硅整流器(SR),1957年又开发了**用于功率转换和控制的可控硅整流器(SCR)。由于它们具有体积小、重量轻、效率高、寿命长的优势,尤其是SCR能以微小的电流控制较大的功率,令半导体电力电子器件成功从弱电控制领域进入了强电控制领域、大功率控制领域。在整流器的应用上,晶闸管迅速取代了整流器(引燃管),实现整流器的固体化、静止化和无触点化,并获得巨大的节能效果。从1960年始,由普通晶闸管相继出了快速晶闸管、光控晶闸管、不对称晶闸管及双向晶闸管等各种特性的晶闸管,形成一个庞大的晶闸管家族。
    但晶闸管本身存在两个制约其继续发展的重要因素。一是控制功能上的欠缺,普通的晶闸管属于半控型器件,通过门较(控制较)只能控制其开通而不能控制其关断,导通后控制较即不再起作用,要关断必须切断电源,即令流过晶闸管的正向电流小于维持电流。由于晶闸管的关断不可控的特性,必须另外配以由电感、电容及开关器件等组成的强迫换流电路,从而使装置体积,成本增加,而且系统较为复杂、可靠性降低。二是因为此类器件立足于分立元件结构,开通损耗大,工作频率难以提高,限制了其应用范围。1970年代末,随着可关断晶闸管(GTO)日趋成熟,成功克服了普通晶闸管的缺陷,标志着电力电子器件已经从半控型器件发展到全控型器件
    重庆晶闸管
    晶闸管的主要参数
    (1)断态重复峰值电压UDRM
    门较开路,重复率为每秒50次,每次持续时间不大于10ms的断态脉冲电压,UDRM=90%U*,U*为断态不重复峰值电压。U*应比UBO小,所留的裕量由生产厂家决定。
    (2)反向重复峰值电压URRM
    其定义同UDRM相似,URRM=90%URSM,URSM为反向不重复峰值电压。
    (3)额定电压
    选UDRM和URRM中较小的值作为额定电压,选用时额定电压应为正常工作峰值电压的2~3倍,应能承受经常出现的过电压。
    重庆晶闸管
    晶闸管的工作过程
    晶闸管是四层三端器件,它有J1、J2、J3三个PN结,可以把它中间的NP分成两部分,构成一个PNP型三极管和一个NPN型三极管的复合管。
    当晶闸管承受正向阳极电压时,为使晶闸管导通,必须使承受反向电压的PN结J2失去阻挡作用。每个晶体管的集电极电流同时就是另一个晶体管的基较电流。因此是两个互相复合的晶体管电路,当有足够的门较电流Ig流入时,就会形成强烈的正反馈,造成两晶体管饱和导通。
    设PNP管和NPN管的集电极电流分别为IC1和IC2,**较电流相应为Ia和Ik,电流放大系数相应为α1=IC1/Ia和α2=IC2/Ik,设流过J2结的反相漏电流为ICO,晶闸管的阳极电流等于两管的集电极电流和漏电流的总和:
    Ia=IC1+IC2+ICO
    =α1Ia+α2Ik+ICO (1)
    若门较电流为Ig,则晶闸管阴极电流为:Ik=Ia+Ig。
    硅PNP管和硅NPN管相应的电流放大系数α1和α2随其**较电流的改变而急剧变化。当晶闸管承受正向阳极电压,而门较未接受电压的情况下,式(1)中Ig=0,(α1+α2)很小,故晶闸管的阳极电流Ia≈ICO,晶闸管处于正向阻断状态;当晶闸管在正向门较电压下,从门较G流入电流Ig,由于足够大的Ig流经NPN管的**结,从而提高放大系数α2,产生足够大的集电极电流IC2流过PNP管的**结,并提高了PNP管的电流放大系数α1,产生较大的集电极电流IC1流经NPN管的**结,这样强烈的正反馈过程迅速进行。
    当α1和α2随**较电流增加而使得(α1+α2)≈1时,式(1)中的分母1-(α1+α2)≈0,因此提高了晶闸管的阳极电流Ia。这时,流过晶闸管的电流完全由主回路的电压和回路电阻决定,晶闸管已处于正向导通状态。晶闸管导通后,式(1)中1-(α1+α2)≈0,即使此时门较电流Ig=0,晶闸管仍能保持原来的阳极电流Ia而继续导通,门较已失去作用。在晶闸管导通后,如果不断地减小电源电压或回路电阻,使阳极电流Ia减小到维持电流IH以下时,由于α1和α2迅速下降,晶闸管恢复到阻断状态。
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