MMO90-16io6 mos管整流开关电路 可控硅

主营： 
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2、富士/Fuji、三菱/Mitsubishi、英飞凌/Infineon、西门康/Semikron、仙童、ABB、三社/SANREX、IR、艾赛斯/IXYS、可控硅、单管、整流桥产品；
 3、ABB驱动片及驱动板；
 4、巴斯曼/Bussmann，西门子/Siemens，法国罗兰、日之出等熔断器&底座等；
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快恢复二管是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二管，主要应用于开关电源、脉宽调制器、变频器等电子电路中，作为高频整流二管、续流二管或阻尼二管使用。

快恢复二管注意事项：
1、有些单管，共三个引脚，中间的为空脚，一般在出厂时剪掉，但也有不剪的；
2、若对管中有一只管子损坏，则可作为单管使用；
3、测正向导通压降时，必须使用R×1档。若用R×1k档，因测试电流太小，远**管子的正常工作电流，故测出的VF值将明显偏低。在上面例子中，如果选择R×1k档测量，正向电阻等于2.2kΩ，此时n′=9格。由此计算出的VF值仅0.27V，远**正常值(0.6V)。
整流二管常用参数：
1、大平均整流电流IF：指二管长期工作时允许通过的大正向平均电流。该电流由PN结的结面积和散热条件决定。使用时应注意通过二管的平均电流不能大于此值，并要满足散热条件。例如1N4000系列二管的IF为1A；
2、高反向工作电压VR：指二管两端允许施加的大反向电压。若大于此值，则反向电流(IR)剧增，二管的单向导电性被破坏，从而引起反向击穿。通常取反向击穿电压(VB)的一半作为(VR)。例如1N4001的VR为50V，1N4002-1n4006分别为100V、200V、400V、600V和800V，1N4007的VR为1000V；
3、大反向电流IR：它是二管在高反向工作电压下允许流过的反向电流，此参数反映了二管单向导电性能的好坏。因此这个电流值越小，表明二管质量越好；
4、击穿电压VB：指二管反向伏安特性曲线急剧弯曲点的电压值。反向为软特性时，则指给定反向漏电流条件下的电压值；
5、高工作频率fm：它是二管在正常情况下的高工作频率。主要由PN结的结电容及扩散电容决定，若工作频率**过fm，则二管的单向导电性能将不能很好地体现。例如1N4000系列二管的fm为3kHz。另有快恢复二管用于频率较高的交流电的整流，如开关电源中；
6、反向恢复时间trr：指在规定的负载、正向电流及大反向瞬态电压下的反向恢复时间；
7、零偏压电容CO：指二管两端电压为零时，扩散电容及结电容的容量之和。值得注意的是，由于制造工艺的限制，即使同一型号的二管其参数的离散性也很大。手册中给出的参数往往是一个范围，若测试条件改变，则相应的参数也会发生变化，例如在25°C时测得1**200系列硅塑封整流二管的IR小于10uA，而在100°C时IR则变为小于500uA。

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