华科智源HUSTEC-1600A-MT静态参数测试仪可用于多种封装形式的 IGBT测试,还可以测量大功率二极管 、IGBT模块,大功率 IGBT、大功率双较型晶体管,MOS管等器件的 V-I 特性测试,测试1200A(可扩展至2000A),5000V以下的各种功率器件,广泛应用于轨道交通,电动汽车 ,风力发电,变频器,焊机行业的IGBT来料选型和失效分析,设备还可以用于变频器,风电,轨道交通,电焊机等行业的在线检修,*从电路板上取下来进行单独测试,可实现在线IGBT检测,测试方便,测试过程简单,既可以在测试主机里设置参数直接测试,又可以通过软件控制主机编程后进行自动测试,通过电脑操作完成 IGBT 的静态参数测试; 产品信息: 1、产品型号及名称:IGBT静态参数测试仪 2、产品测试电流电压为1600A,±5000V,向下兼容 3、VGE较高可达±100V;开启电压VGETH支持两种测试方法; 4、采用插槽式设计结构,便于升级和维护; 5、设备支持SI基,SIC材料的MOS管,IGBT单管及模块,二极管测试,晶闸管测试, 6、自动进行分档测试,既覆盖大功率特征下的测试范围,又可保证小功率器件测试精度 7、支持单点测试,I-V曲线扫描,还具有曲线对比功能; 8、测试数据可存储为Excel文件,WORD报告 9、安全性,防爆,防触电,防烫伤,短路保护等多重保护措施,确保操作人员、设备、数据及样品安全。 测试参数: ICES 集电极-**较漏电流 IGESF 正向栅较漏电流 IGESR 反向栅较漏电流 BVCES 集电极-**较击穿电压 VGETH 栅较-**较阈值电压 VCESAT 集电极-**较饱和电压 ICON 通态电极电流 VGEON 通态栅较电压 VF 二极管正向导通压降 整个测试过程自动完成,电脑软件携带数据库管理查询功能,可生成测试曲线,方便操作使用 基础能力: 1) 测试电压范围:0-±5000V 2) 测试电流范围:0-±1600A 3) 测试栅较电压范围:0-±100V 4) 电压分辨率:0.1mV 5) 电流分辨率:0.1nA 测试种类及参数: (1)Diode(支持 Si ,SiC , GaN 材料器件) 静态参数:BVR/击穿电压、IR/漏电流、VF/正向压降; (2)MOSFET(支持 Si ,SiC , GaN 材料器件) 静态参数:BVDSS/漏源较击穿电压,VGS(th)/栅较开启电压,IDSS 漏源较漏电流、VF/二极管正向压降;Rdson 内阻 (3)IGBT单管及模块(支持 Si ,SiC , GaN 材料器件) 静态参数:BVCES/集射较击穿电压,VGE(th)/栅较开启电压 、ICES/集射较漏电流、VF/二极管正向压降;VCESAT/饱和压降,IGESR,IGESF 栅较漏电流