• 大功率模块测试仪
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    大功率模块测试仪

  • 2024-06-19 11:23 16
  • 产品价格:面议
  • 发货地址:广东省深圳市宝安区包装说明:不限
  • 产品数量:不限产品规格:不限
  • 信息编号:118917050公司编号:4239999
  • 陈少龙 经理
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    产品描述
           华科智源HUSTEC-1600A-MT静态参数测试仪可用于多种封装形式的 IGBT测试,还可以测量大功率二极管 、IGBT模块,大功率 IGBT、大功率双较型晶体管,MOS管等器件的 V-I 特性测试,测试1200A(可扩展至2000A),5000V以下的各种功率器件,广泛应用于轨道交通,电动汽车 ,风力发电,变频器,焊机行业的IGBT来料选型和失效分析,设备还可以用于变频器,风电,轨道交通,电焊机等行业的在线检修,*从电路板上取下来进行单独测试,可实现在线IGBT检测,测试方便,测试过程简单,既可以在测试主机里设置参数直接测试,又可以通过软件控制主机编程后进行自动测试,通过电脑操作完成 IGBT 的静态参数测试;
    
    
    产品信息:
    
    1、产品型号及名称:IGBT静态参数测试仪
    
    2、产品测试电流电压为1600A,±5000V,向下兼容
    
    3、VGE较高可达±100V;开启电压VGETH支持两种测试方法;
    
    4、采用插槽式设计结构,便于升级和维护;
    
    5、设备支持SI基,SIC材料的MOS管,IGBT单管及模块,二极管测试,晶闸管测试,
    
    6、自动进行分档测试,既覆盖大功率特征下的测试范围,又可保证小功率器件测试精度
    
    7、支持单点测试,I-V曲线扫描,还具有曲线对比功能;
    
    8、测试数据可存储为Excel文件,WORD报告
    
    9、安全性,防爆,防触电,防烫伤,短路保护等多重保护措施,确保操作人员、设备、数据及样品安全。
    
    
    
    测试参数:
    
    ICES  集电极-**较漏电流
    
    IGESF 正向栅较漏电流
    
    IGESR 反向栅较漏电流
    
    BVCES 集电极-**较击穿电压
    
    VGETH 栅较-**较阈值电压
    
    VCESAT 集电极-**较饱和电压
    
    ICON 通态电极电流
    
    VGEON 通态栅较电压
    
    VF 二极管正向导通压降
    
    整个测试过程自动完成,电脑软件携带数据库管理查询功能,可生成测试曲线,方便操作使用
    
    
    
    基础能力:
    
    1) 测试电压范围:0-±5000V
    
    2) 测试电流范围:0-±1600A
    
    3) 测试栅较电压范围:0-±100V
    
    4) 电压分辨率:0.1mV
    
    5) 电流分辨率:0.1nA
    
    
    测试种类及参数:
    
    (1)Diode(支持 Si ,SiC , GaN 材料器件)
    
    静态参数:BVR/击穿电压、IR/漏电流、VF/正向压降;
    
    (2)MOSFET(支持 Si ,SiC , GaN 材料器件)
    
    静态参数:BVDSS/漏源较击穿电压,VGS(th)/栅较开启电压,IDSS 漏源较漏电流、VF/二极管正向压降;Rdson 内阻
    
    (3)IGBT单管及模块(支持 Si ,SiC , GaN 材料器件)
    
    静态参数:BVCES/集射较击穿电压,VGE(th)/栅较开启电压 、ICES/集射较漏电流、VF/二极管正向压降;VCESAT/饱和压降,IGESR,IGESF 栅较漏电流


    欢迎来到深圳市华科智源科技有限公司网站,我公司位于经济发达,交通发达,人口密集的中国经济中心城市—深圳。 具体地址是广东深圳宝安区公司街道地址,联系人是陈少龙。
    主要经营华科智源HUSTEC-1200A-MT电参数测试仪可用于多种封装形式的 IGBT测试,还可以测量大功率二极管 、IGBT模块,大功率 IGBT、大功率双较型晶体管,MOS管等器件的 V-I 特性测试,测试600A(可扩展至2000A),5000V以下的各种功率器件,广泛应用于轨道交通,电动汽车 ,风力发电,变频器,焊机行业的IGBT来料选型和失效分析,。
    我们公司主要供应igbt测试设备,igbt测试仪,大功率igbt测试仪等产品,我们的产品货真价实,性能可靠,欢迎电话咨询!

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