●该设备用于纳米级单层或多层膜、类金刚石薄膜、金属膜、导电膜、半导体膜和非导电膜等功能薄膜的制备,可实现共溅射,直流、射频兼容,适于科研院所和企业进行功能薄膜研发、教学和新产品开发,同时可在微米级粉末或颗粒上沉积薄膜进而达到表面改性的功能。建议选用公Research系列磁控溅射平台。 ●主体结构:全封闭框架结构,机柜和主机为分体式机构。 ●极限真空度:≤6.63×10-5Pa,压升率**国家标准。 ●真空配置:高速直联旋片泵一台,配置尾气处理装置,**高分子泵一台。 ●真空测量:两路电阻规,一路电离规;电阻规和电离规均采用防爆型金属封结真空规。 ●工件架系统:行星工件盘与公转工件盘可选,垂直溅射与共溅射兼容,可配置1个加热台,采用PID控制可烘烤加热到700℃。 ●磁控溅射系统:配置3个Φ50mm可折叠磁控靶(可扩展至4靶机构),向上溅射成膜;靶基距可调;靶内均通入冷却水冷却。 ●电源 :2套直流电源;1套全固态射频电源;一套200W直流偏压电源。 ●充气系统:配置三路供气,二路分别配置质量流量控制器,线性±0.5 % F.S,重复精度±0.2% F.S,0-5V输出,在触摸屏上设置流量。 ●电气控制系统:采用功能化模块设计,匹配西门子人机界面+西门子控制单元,溅射时间可以设定并**,能够根据工艺需求自动溅射。 ●特别说明:根据用户不同的工况和工艺要求,公司愿与客户联合研发,共享知识产权,公司致力于工艺与设备的**匹配,该设备为公司与电子科技大学联合研发。
成都汉普升科技有限公司,成立于2015年11月16日,致力于电真空、核级装备、人工晶体材料及薄膜制备设备的技术提升,在服务领域深耕细作,具有较深的技术沉积。 公司成立以来,秉承“追赶极限,迈向**”的****观,在自己所擅长领域为客户提供优良的产品和技术解决方案,公司注重产品和运营模式创新,我们坚信:唯有创新方能给用户增值,公司已与多家科研院所、高等院校及企事业单位进行横向合作,形成了科研级、工业级、**级产品体系,已为客户设计制造了多套**设备和仪器,获得了用户广泛赞誉。