mos场效应管 IXFN32N100P 可控性强

MOS管的工作原理是通过改变金属栅与半导体衬底之间的电场强度来控制电流的流动。当栅电压变化时，电场强度也会发生变化，从而改变导电区的电荷密度和电阻，从而控制电流的流动。
MOS管是一种金属氧化物半导体场效应管，也称为MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）。它是一种三端器件，由源(S)、漏(L)和栅(G)三个电组成。

MOS管的工作原理是通过改变栅电上的电场，来控制源漏间的电流。MOS管的主要结构包括：P型衬底、N型沟道、P型源、P型漏、金属栅和氧化物层。其中，金属栅和氧化物层一起构成了栅结构，被称为MOS结。

MOS管由金属栅、氧化物绝缘层和半导体材料组成。栅上的电压可以控制氧化物绝缘层下的电场，从而调节半导体中的电荷分布，控制电流的流动。

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