晶体二极管的主要参数有:(1) 整流电流IFMFM,是指允许正向通过PN结的平均电流(图③a)。使用中实际工作电流应小于IFM,否则将损坏二极管。(2) 反向电压URM,是指反向加在二极管两端而不致引起PN结击穿的电压(图③b)。使用中应选用URM大于实际工作电压2倍以上的二极管。(3) 检波或高频整流二极管的工作频率fM,至少应2倍于电路实际工作频率。(4) 稳压二极管的稳定电压UZ值应符合电路要求。
晶体管泛指一切以半导体材料为基础的单一元件,包括各种半导体材料制成的二极管(二端子)、三极管、场效应管、晶闸管(后三者均为三端子)等。晶体管有时多指晶体三极管。
晶体管(transistor)是一种固体半导体器件,具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。晶体管作为一种可变电流开关,能够基于输入电压控制输出电流。与普通机械开关(如Relay、switch)不同,晶体管利用电讯号来控制自身的开合,而且开关速度可以非常快,实验室中的切换速度可达100GHz以上。2016年,劳伦斯伯克利国家实验室的一个团队打破了物理极限,将现有的精尖的晶体管制程从14nm缩减到了1nm,完成了计算技术界的突破。
三端子晶体管主要分为两大类:双极性晶体管和场效应晶体管(FET,单极性)。晶体管有三个较;双极性晶体管的三个较,分别是由N型、P型半导体组成的**较、基较和集电极;场效应晶体管的三个较,分别是源较、栅较(Gate,门较)和漏较(Drain)。
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