DSA300I45NA 低电压损耗 低vf肖特基二极管

肖特基二极管（Schottky Diode），也称为肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode），是一种半导体器件，由德国物理学家沃尔特·肖特基（Walter H. Schottky）于20世纪初发明。它是一种特殊的二极管，由金属与半导体材料接触而成，具有低电压降和快速开关速度等特点。
在肖特基二极管中，P型半导体与金属之间形成了一个肖特基势垒，这个势垒可以阻止电流在反向偏置时流过。肖特基二极管具有快速响应、低电压降、低反向漏电流等特点，在电路、低功耗电路、开关电源等领域得到广泛应用。

肖特基二极管的主要特点是具有低的正向压降和快速的开关特性。它由金属（通常是铝或钨）与半导体材料（通常是硅或碳化硅）的结合构成。金属与半导体之间形成了一个肖特基势垒，使得肖特基二极管具有较低的正向压降（约0.2V至0.5V），相比于普通的整流二极管较低。

肖特基二极管（Schottky Diode）是一种特殊类型的二极管，由金属与半导体材料的结合构成。它以德国物理学家沃尔特·肖特基（Walter H. Schottky）的名字命名。

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