快恢复二极管的内部结构与普通PN结二极管不同,它属于PIN结型二极管,即在P型硅材料与N型硅材料中间增加了基区I,构成PIN硅片。因基区很薄,反向恢复电荷很小,所以快恢复二极管的反向恢复时间较短,正向压降较低,反向击穿电压(耐压值)较高。
快恢复二极管的正向压降**普通二极管,通常在1-2V之间,反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快恢复和**快恢复两个等级,前者反向恢复时间为数百纳秒或较长,后者则在100纳秒以下。
快恢复二极管的主要优点是反向恢复时间短,能够快速地恢复到正向导通状态,从而减少了开关过程中的能量损耗,提高了开关效率。此外,快恢复二极管还具有低反向漏电流、高温稳定性等优点,适用于开关电路、电源电路、逆变器等多种应用场合。
快恢复二极管是一种反向恢复时间很短的二极管,通常在5微秒以下。它的工艺上采用掺金技术,结构上采用PN结型结构或改进的PIN结构。
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