原厂代理MOS管 TSS12**0F

MOS开关管损失
不管是NMOS还是PMOS，导通后都有导通电阻存在，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右，几毫欧的也有。MOS在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的。MOS两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，MOS管的损失是电压和电流的乘积，叫做开关损失。通常开关损失比导通损失大得多，而且开关频率越快，损失也越大。导通瞬间电压和电流的乘积很大，造成的损失也就很大。缩短开关时间，可以减小每次导通时的损失；降低开关频率，可以减小单位时间内的开关次数。这两种办法都可以减小开关损失。

MOSFET管是FET的一种（另一种是JFET），可以被制构成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但理论应用的只需增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。场效应管分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）两大类。
MOS管分类及区别
结型场效应管（JFET）
结型场效应管的分类：结型场效应管有两种结构形式，它们是N沟道结型场效应管和P沟道结型场效应管。
结型场效应管也具有三个电，它们是：栅；漏；源。电路符号中栅的箭头方向可理解为两个PN结的正向导电方向。2、结型场效应管的工作原理(以N沟道结型场效应管为例)，N沟道结构型场效应管的结构及符号，由于PN结中的载流子已经耗尽，故PN基本上是不导电的，形成了所谓耗尽区，当漏电源电压ED一定时，如果栅电压越负，PN结交界面所形成的耗尽区就越厚，则漏、源之间导电的沟道越窄，漏电流ID就愈小；反之，如果栅电压没有那么负，则沟道变宽，ID变大，所以用栅电压EG可以控制漏电流ID的变化，就是说，场效应管是电压控制元件。
绝缘栅场效应管
1、绝缘栅场效应管（MOS管）的分类：绝缘栅场效应管也有两种结构形式，它们是N沟道型和P沟道型。无论是什么沟道，它们又分为增强型和耗尽型两种。
2、它是由金属、氧化物和半导体所组成，所以又称为金属—氧化物—半导体场效应管，简称MOS场效应管。
3、绝缘栅型场效应管的工作原理(以N沟道增强型MOS场效应管)它是利用UGS来控制“感应电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏电流的目的。在制造管子时，通过工艺使绝缘层中出现大量正离子，故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷，这些负电荷把高渗杂质的N区接通，形成了导电沟道，即使在VGS=0时也有较大的漏电流ID。当栅电压改变时，沟道内被感应的电荷量也改变，导电沟道的宽窄也随之而变，因而漏电流ID随着栅电压的变化而变化。场效应管的工作方式有两种：当栅压为零时有较大漏电流的称为耗散型；当栅压为零，漏电流也为零，必须再加一定的栅压之后才有漏电流的称为增强型。

MOS管驱动
跟双性晶体管相比，一般认为使MOS管导通不需要电流，只要GS电压**一定的值，就可以了。这个很容易做到，但是，我们还需要速度。
在MOS管的结构中可以看到，在GS，GD之间存在寄生电容，而MOS管的驱动，实际上就是对电容的充放电。对电容的充电需要一个电流，因为对电容充电瞬间可以把电容看成短路，所以瞬间电流会比较大。选择/设计MOS管驱动时要注意的是可提供瞬间短路电流的大小。
*意的是，普遍用于驱动的NMOS，导通时需要是栅电压大于源电压。而驱动的MOS管导通时源电压与漏电压（VCC）相同，所以这时栅电压要比VCC大4V或10V。如果在同一个系统里，要得到比VCC大的电压，就要的升压电路了。很多马达驱动器都集成了电荷泵，要注意的是应该选择合适的外接电容，以得到足够的短路电流去驱动MOS管。
上边说的4V或10V是常用的MOS管的导通电压，设计时当然需要有一定的余量。而且电压越高，导通速度越快，导通电阻也越小。现在也有导通电压小的MOS管用在不同的领域里，但在12V汽车电子系统里，一般4V导通就够用了。

选择到一款正确的MOS管，可以地控制生产制造成本，为重要的是，为产品匹配了一款恰当的元器件，这在产品未来的使用过程中，将会充分发挥其“螺丝钉”的作用，确保设备得到、稳定、持久的应用效果。那么面对市面上琳琅满目的MOS管，该如何选择呢？下面，我们就分7个步骤来阐述MOS管的选型要求。
MOS管是电子制造的基本元件，但面对不同封装、不同特性、不同的MOS管时，该如何抉择？有没有省心、省力的遴选方法？
先是确定N、P沟道的选择
MOS管有两种结构形式，即N沟道型和P沟道型，结构不一样，使用的电压性也会不一样，因此，在确定选择哪种产品前，先需要确定采用N沟道还是P沟道MOS管。
MOS管选型技巧
MOS管的两种结构：N沟道型和P沟道型
在典型的功率应用中，当一个MOS管接地，而负载连接到干线电压上时，该MOS管就构成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用N沟道MOS管，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。
当MOS管连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P沟道MOS管，这也是出于对电压驱动的考虑。
要选择适合应用的器件，必须确定驱动器件所需的电压，以及在设计中简易执行的方法。
第二步是确定电压
额定电压越大，器件的成本就越高。从成本角度考虑，还需要确定所需的额定电压，即器件所能承受的大电压。根据实践经验，额定电压应当大于干线电压或总线电压，一般会留出1.2~1.的电压余量，这样才能提供足够的保护，使MOS管失效。
就选择MOS管而言，必须确定漏至源间可能承受的大电压，即大VDS。由于MOS管所能承受的大电压会随温度变化而变化，设计人员必须在整个工作温度范围内测试电压的变化范围。额定电压必须有足够的余量覆盖这个变化范围，确保电路失效。
此外，设计还需要考虑其他安全因素：如由开关电子设备(常见有电机或变压器)诱发的电压瞬变。另外，不同应用的额定电压也有所不同；通常便携式设备选用20V的MOS管，FPGA电源为20～30V的MOS管，85～220V AC应用时MOS管VDS为450～600V。
第三步为确定电流
确定完电压后，接下来要确定的就是MOS管的电流。需根据电路结构来决定，MOS管的额定电流应是负载在所有情况下都能够承受的大电流；与电压的情况相似，MOS管的额定电流必须能满足系统产生尖峰电流时的需求。电流的确定需从两个方面着手：连续模式和脉冲尖峰。在连续导通模式下，MOS管处于稳态，此时电流连续通过器件。脉冲尖峰是指有大量电涌(或尖峰电流)流过器件。一旦确定了这些条件下的大电流，只需直接选择能承受这个大电流的器件便可。
选好额定电流后，还必须计算导通损耗。在实际情况下，MOS管并不是理想的器件，因为在导电过程中会有电能损耗，也就是导通损耗。MOS管在“导通”时就像一个可变电阻，由器件的导通电阻RDS(ON)所确定，并随温度而显著变化。器件的功率损耗PTRON=Iload2×RDS(ON)计算（Iload：大直流输出电流），由于导通电阻会随温度变化，因此功率耗损也会随之按比例变化。对MOS管施加的电压VGS越高，RDS(ON)就会越小；反之RDS(ON)就会越高。
对系统设计人员来说，这就需要折中权衡。对便携式设计来说，采用较低的电压即可(较为普遍)；而对于工业设计来说，可采用较高的电压。需要注意的是，RDS(ON)电阻会随着电流轻微上升。
技术对器件的特性有着重大影响，因为有些技术在提高大VDS（漏源额定电压）时往往会使RDS(ON)。对于这样的技术，如果打算降低VDS和RDS(ON)，那么就得增加晶片尺寸，从而增加与之配套的封装尺寸及相关的开发成本。业界现有好几种试图控制晶片尺寸增加的技术，其中主要的是沟道和电荷平衡技术。

深圳市佳仕达科技有限公司代理、分销世界厂家生产的电源IC、场效应管、二管、三管、可控硅、快恢复、肖特基、光耦、单片机等电子元器件，佳仕达一向以品质，服务周到’为发展方针，我们提供的服务主要包括： 方案与技术支持以及服务 提供高性能、高品质电源IC。 方案与技术支持以及服务 提供高性能、高品质电源IC。 并为客户提供电源解决方案和优良的技术服务。 客户使用过程中为客户提供的服务。 为您供应长期稳定的货源 稳定的供货渠道及庞大的库存满足您长期的用货需求。 按照您的需求为您提前准备库存，使您避免货源短缺的烦恼 。 一直坚持路线一级代理，源源不断的为您提供全新原装，使您不必担心买到劣质器件。 快捷的供货服务 迅速的报价帮助您在短时间内核算成本，较快的做出决策。 快捷的物流服务使您在短时间内收到货物，省内客户正常下单后第二天即可收到货物。 灵活的合作方式 佳仕达公司早已**进出口权，并具备一般纳税人，进口产品均通过报关等正规手续进入国内，并可开具17%增值。 中国香港及大陆均可交货，为您提供灵活的交货方式。 可根据您的需求提供个性化的服务。 十几年来，佳仕达公司以自身价格、质量及服务的优势赢得广大客户的信赖和**。 我们真诚的希望和世界各地厂家、商家携手合作，共创美好未来。 需要更多产品详情资料，欢迎联系我们！ 佳仕达提供电源方案、技术支持等服务！ 联系人：陈翊煊 手机： 电话： 传真： 邮箱： ：广东深圳市福田区振中路鼎城**大厦605室