关键性能 在各种工作条件下都能执行准确的测量 一体化解决方案可以表征高达 1500 A 和 10 kV 的功率器件 可在高压偏置下进行中档电流测量(例如 1200 V 时为 500 mA) μΩ 导通电阻测量能力 在高压偏置下进行准确的皮安级以下电流测量 -50 ℃ 至 +250 ℃ 全自动热测试 广泛的器件评测功能 在高达 3000 V 直流偏置下进行全自动电容(Ciss、Coss、Crss 等)测量 较短 10 μs 的大功率脉冲测量 封装器件和晶圆上 IGBT/FET 栅较电荷测量 用于表征 GaN 电流崩塌效应的高压/大电流快速开关选件 多达五个高压(3 kV)源表通道,较大地提高灵活性 通过配有互锁装置的测试夹具进行安全的温度相关测试