德国西门子PLC代理商

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一、概念

 

软冗余通俗的讲就是软件冗余，软件冗余 (SWR) 是一个软件包，可以应用于对主备系统切换时间要求不高的控制系统中，需要安装

 

硬冗余是指物理上的硬件冗余，通过模块使两套互为冗余的系统进行实时数据交换、通讯。

 

二、 两者的区别

 

1、软冗余是通过软件冗余包实现的冗余，软冗余是两个独立运行的CPU通过标准的通信接口，如MPI口或者PROFIBUS-DP模块或者以太网模块进行数据的同步，I/O 设备的连接是通过两个冗余 PROFIBUS DP 网络与带有冗余IM 153-2接口模块的ET-200M 站实现。通俗的说就是软冗余实际上就是CPU之间的冗余和DP网络的冗余，主、备系统通过软冗余**程序进行数据交换，备份以及故障切换。

 

硬冗余是通过光缆和模块实现的冗余功能，不需要软件包支持。

 

2、软冗余主、备系统的CPU型号可以不同，例如一个为300，一个为400；硬冗余主、备系统的CPU型号必须相同。

 

3、软冗余的数据同步是周期性同步；硬冗余数据同步是时间同步。

 

3、软冗余中主cpu工作时，备用cpu是暖待机，也就是说当主 CPU 正在处理程序组件时，备用CPU 则跳过这些程序，这样可以防止在两个程序组件中出现不一 致，也就是待机站上的程序一直准备接管程序进行处理。因此软冗余系统中，主、备系统切换时间长，一般为秒级。

 

硬冗余的主CPU和备用CPU都处于RUN模式，两个CPU同步地处理用户程序，主站故障后，备用cpu可以立即进行切换，两个 CPU 的处理密切协调，时间为毫秒级。

 

4、当dp从站的接口或profibus链路故障，软冗余的主备cpu会进行切换，而硬冗余系统中，从站故障不会出现主、备cpu切换的情况。

 

5、软冗余不支持IO冗余，IO冗余只能在硬冗余中实现。

 

注意：400系统只有400H才能实现硬冗余。

散逸因数─损失角
    散逸因数dissipation factor(DF)存在於所有电容器中，有时DF值会以损失角tanδ表示。想想，损失角，既有损失，当然愈低愈好。塑料电容的损失角很低，但铝电解电容就相当高。DF值是高还是低，就同一品牌、同一系列的电容器来说，与温度、容量、电压、频率……都有关系；当容量相同时，耐压愈高的DF值就愈低。举实例做说明，同厂牌同系列的10000μF电容，耐压80V的DF值一定比耐压63V的低。所本刊选用滤波电容常会找较高耐压者，不是没有道理。此外温度愈高DF值愈高，频率愈高DF值也会愈高。
    但许多电容器制造厂，在规格书上常不注明散逸因数DF值，因为数值甚高很难看。以瑞典RIFA为例，其蓝色PHE-420系列是MKP塑料电容，它的DF值是0.00005/高是0.0008。但白色*级PEH169系列铝质电解电容，就未标示损失角规格。若真注明DF值，可能会是1.0000，小数点是在1的後面。

漏…漏电流
    哇！漏电！好没有。可是没办法，铝电解电容在工作时一定会产生漏电流。
    漏电流(leakage current)当然要低，它的计算公式大致是:I＝K×CV。漏电流I的单位是μA，K是常数，例如是0.01或0.03，每家制造厂会选择不同的常数。但不论如何，电容器容量愈高，漏电流就愈大。如果你有容量愈大平滑效果愈好的想法，这个「漏电流」也请考虑在内。从计算式可得知额定电压愈高，漏电流也愈大，因此降低工作电压亦可降低漏电流。
    但降低电容器的漏电流并不容易，低漏电流low leakage current-LL系列价格高昂，我曾向国内厂商订制一批低漏电流LL系列电容，价格比许多进口电容还贵。漏电流规格，铝电解电容就比钽电解电容差许多，钽质电容也有乾式及湿式两种，不过它的容量及耐压都较低。
    除特别定制外，面对一般品，想要降低它的漏电流可设法提高Vs对Vr的比值。Vs是涌浪电压，其值当然比Vr额定电压高，但施加电压(真正的工作电压)还应该比Vr低，例如取Vr的90％；找高耐压品种可说是正确。

等效串联电阻ESR
    一只电容器会因其构造而产生各种阻抗、感抗，比较重要的就是ESR等效串联电阻及ESL等效串联电感─这就是容抗的基础。电容器提供电容量，要电阻干嘛？故ESR及ESL也要求低…低；但low ESR/low ESL通常都是**系列。
    ESR的高低，与电容器的容量、电压、频率及温度…都有关，当额定电压固定时，容量愈大 ESR愈低。有人习用将多颗小电容并接成一颗大电容以降低阻抗，其理论是电阻并联阻值降低。但若考虑电容接脚焊点的阻抗，以小并大，不见得一定会有收获。
    反过来说，当容量固定时，选用高WV额定电压的品种也能降低 ESR；故耐压高确实好处多多。频率的影响：低频时ESR高，高频时ESR低；当然，高温也会造成ESR的提升。
    串联等效电阻ESR的单位是mΩ，**系列电容常是low ESR及low ESL。若比较低内阻及低漏电流两种特性，则低内阻容易达成，故标示low ESR的电容倒很常见。ESR与损失角有关联，ESR＝tanδ/(ω×Cs)，Cs是电容量。
    有时电容器规格上会有Z，它与ESR的意义不同，但Z的计算示与ESR有关，同时也考虑到容抗及感抗，是真正的内阻。刚才提到电容的ESR单位是mΩ，那是指大电容，若是220μF小容量电容，其ESR单位就不是mΩ而是Ω。何种电容器的ESR？答案只有一个：Sanyo的OS**半导体电容！

 

6ES7211-1BE40-0XB0	CPU 1211C   AC/DC/Rly,6输入/4输出,集成2AI
6ES7211-1AE40-0XB0	CPU 1211C   DC/DC/DC,6输入/4输出,集成2AI
6ES7211-1HE40-0XB0	CPU 1211C   DC/DC/Rly,6输入/4输出,集成2AI
6ES7212-1BE40-0XB0	CPU 1212C   AC/DC/Rly,8输入/6输出,集成2AI
6ES7212-1AE40-0XB0	CPU 1212C   DC/DC/DC,8输入/6输出,集成2AI
6ES7212-1HE40-0XB0	CPU 1212C   DC/DC/Rly,8输入/6输出,集成2AI
6ES7214-1BG40-0XB0	CPU 1214C   AC/DC/Rly,14输入/10输出,集成2AI
6ES7214-1AG40-0XB0	CPU 1214C   DC/DC/DC,14输入/10输出,集成2AI
6ES7214-1HG40-0XB0	CPU 1214C   DC/DC/Rly,14输入/10输出,集成2AI
6ES7215-1BG40-0XB0	CPU 1215C   AC/DC/Rly,14输入/10输出,集成2AI/2AO
6ES7215-1AG40-0XB0	CPU 1215C   DC/DC/DC,14输入/10输出,集成2AI/2AO
6ES7215-1HG40-0XB0	CPU 1215C   DC/DC/Rly,14输入/10输出,集成2AI/2AO
6ES72171AG400XB0	CPU 1217C   DC/DC/DC,14输入/10输出,集成2AI/2AO