N1HNK60 全新原装MOS管N沟道STN1HNK60 400MA600V SOT-223

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制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-223-4
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源较击穿电压: 600 V
Id-连续漏较电流: 400 mA
Rds On-漏源导通电阻: 8.5 Ohms
Vgs - 栅较-源较电压: - 25 V, + 25 V
Vgs th-栅源较阈值电压: 2.25 V
Qg-栅较电荷: 7 nC
较小工作温度: - 55 C
较大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 3.3 W
通道模式: Enhancement
商标名: SuperMESH
系列: STN1HNK60
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: STMicroelectronics
配置: Single
下降时间: 25 ns
高度: 1.8 mm
长度: 6.5 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 5 ns
4000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 19 ns
典型接通延迟时间: 6.5 ns
宽度: 3.5 mm
单位重量: 250 mg

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